证券日报网讯 4月17日，时代电气在互动平台回答投资者提问时表示，在半导体领域，公司从1964年开始功率半导体技术研发与产业化，通过持续投入和平台提升，已成长为同时掌握大功率晶闸管、IGBT、IGCT、SiC器件及其组件技术的IDM模式企业代表，拥有芯片—模块—装置—系统完整产业链，并建有6英寸双极器件、8英寸IGBT和8英寸SiC的产业化基地。公司生产的全系列高可靠性IGBT产品覆盖650V-6500V全电压等级。
（文章来源：证券日报）
证券日报网讯 4月17日，时代电气在互动平台回答投资者提问时表示，在半导体领域，公司从1964年开始功率半导体技术研发与产业化，通过持续投入和平台提升，已成长为同时掌握大功率晶闸管、IGBT、IGCT、SiC器件及其组件技术的IDM模式企业代表，拥有芯片—模块—装置—系统完整产业链，并建有6英寸双极器件、8英寸IGBT和8英寸SiC的产业化基地。公司生产的全系列高可靠性IGBT产品覆盖650V-6500V全电压等级。
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