证券日报网4月17日讯 ,天岳先进在接受调研者提问时表示,公司认为,碳化硅衬底的长期降本不依赖单纯价格竞争,而是以技术迭代与效率提升为核心底层逻辑,主要来自三个维度。大尺寸化结构性降本:通过8英寸、12英寸产品升级,单片衬底可切割的芯片数量成倍增长,从根本上降低单位芯片的衬底成本。全流程工艺优化降本:持续提升晶体生长良率、加工良率与设备稼动率,推进长晶炉等核心设备的国产化替代,以技术进步对冲原材料与能源成本波动。规模化精益制造降本:依托上海、山东等基地的产能逐步释放,摊薄单位固定成本,同时通过精细化运营优化供应链管理,实现全产业链的成本协同。2025年公司已通过上述措施有效对冲了部分行业价格下行压力,未来随着8英寸产能的规模化释放,成本优势将进一步凸显。
(文章来源:证券日报)
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