这两年,HBM几乎成了整个行业绕不开的关键词。在火热的AI加速器之上,除了居于核心位置的GPU,最吸引目光的,往往是那几颗紧贴其旁的HBM。它们大多通过热压键合堆叠而成,其在DRAM芯片之间布置微米级金属凸块,经由加热与加压完成连接与成型。这套工艺已沿用近十年,成熟、稳定,良率也在可控范围内。但真正的瓶颈,出现在高度上:而标准机构JEDEC给出的封装高度上限为775微米,在这一空间内,需要同时容纳...
网页链接这两年,HBM几乎成了整个行业绕不开的关键词。在火热的AI加速器之上,除了居于核心位置的GPU,最吸引目光的,往往是那几颗紧贴其旁的HBM。它们大多通过热压键合堆叠而成,其在DRAM芯片之间布置微米级金属凸块,经由加热与加压完成连接与成型。这套工艺已沿用近十年,成熟、稳定,良率也在可控范围内。但真正的瓶颈,出现在高度上:而标准机构JEDEC给出的封装高度上限为775微米,在这一空间内,需要同时容纳...
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