SK海力士据报考虑采用台积电3nm工艺生产HBM4E逻辑芯片

市场资讯03-23

炒股就看金麒麟分析师研报,权威,专业,及时,全面,助您挖掘潜力主题机会! (来源:界面新闻)据报道,SK海力士预计将在其HBM4E核心芯片上采用10nm级第六代(1c)DRAM工艺,而逻辑芯片则采用台积电的3nm工艺。 海量资讯、精准解读,尽在新浪财经APP

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