打破HBM壁垒:三星zHBM与英特尔Z-Angle内存之争

物理微电子前沿...02-19

在人工智能与高性能计算需求持续攀升的背景下,高带宽内存正面临前所未有的技术挑战。传统HBM通过垂直堆叠DRAM芯片并利用硅通孔实现高速互连,但随着堆叠层数不断提高,散热瓶颈、信号完整性与制造复杂度问题日益凸显。进入2026年初,两家半导体巨头分别给出了不同方向的答案。Intel联合软银旗下SAIMEMORY展示了Z-AngleMemory原型,而Samsung Electronics则在...

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