性能大幅优于HBM！英特尔推全新内存，或重返DRAM

EETOP02-04

英特尔正依托当前持续旺盛的动态随机存取存储器（DRAM）市场需求，与软银旗下子公司达成合作，推出全新的ZAM内存技术。英特尔ZAM内存模组：凭创新互连与EMIB技术实现更高能效今年，人工智能基础设施建设迎来全面爆发期，在超大规模数据中心运营商和芯片制造商的需求驱动下，DRAM的市场需求呈爆发式增长。更关键的是，全球内存核心供应商数量有限，当前该领域的供应链瓶颈问题极为突出，这也让新竞争者的入局成为...

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{"i18n":{"language":"zh_CN"},"isChannel":false,"data":{"share":"https://www.laohu8.com/m/news/2608335996?lang=zh_CN&edition=full","thumbnail":"","is_english":false,"pubTime":"2026-02-04 10:38","share_image_url":"https://static.laohu8.com/9a95c1376e76363c1401fee7d3717173","id":"2608335996","market":"us","top_or_hot":-1,"title":"性能大幅优于HBM！英特尔推全新内存，或重返DRAM","media":"EETOP","content":"<div>\n<p>英特尔正依托当前持续旺盛的动态随机存取存储器（DRAM）市场需求，与软银旗下子公司达成合作，推出全新的ZAM内存技术。英特尔ZAM内存模组：凭创新互连与EMIB技术实现更高能效今年，人工智能基础设施建设迎来全面爆发期，在超大规模数据中心运营商和芯片制造商的需求驱动下，DRAM的市场需求呈爆发式增长。更关键的是，全球内存核心供应商数量有限，当前该领域的供应链瓶颈问题极为突出，这也让新竞争者的入局成为...</p>\n\n<a href=\"http://gu.qq.com/resources/shy/news/detail-v2/index.html#/?id=nesSN20260204104318a479d8b1&s=b\">网页链接</a>\n\n</div>\n","source":"tencent","html":"<!DOCTYPE html>\n<html>\n<head>\n<meta http-equiv=\"Content-Type\" content=\"text/html; charset=utf-8\" />\n<meta name=\"viewport\" content=\"width=device-width,initial-scale=1.0,minimum-scale=1.0,maximum-scale=1.0,user-scalable=no\"/>\n<meta name=\"format-detection\" content=\"telephone=no,email=no,address=no\" />\n<title>性能大幅优于HBM！英特尔推全新内存，或重返DRAM</title>\n<style type=\"text/css\">\na,abbr,acronym,address,applet,article,aside,audio,b,big,blockquote,body,canvas,caption,center,cite,code,dd,del,details,dfn,div,dl,dt,\nem,embed,fieldset,figcaption,figure,footer,form,h1,h2,h3,h4,h5,h6,header,hgroup,html,i,iframe,img,ins,kbd,label,legend,li,mark,menu,nav,\nobject,ol,output,p,pre,q,ruby,s,samp,section,small,span,strike,strong,sub,summary,sup,table,tbody,td,tfoot,th,thead,time,tr,tt,u,ul,var,video{ font:inherit;margin:0;padding:0;vertical-align:baseline;border:0 }\nbody{ font-size:16px; line-height:1.5; color:#999; background:transparent; }\n.wrapper{ overflow:hidden;word-break:break-all;padding:10px; }\nh1,h2{ font-weight:normal; line-height:1.35; margin-bottom:.6em; }\nh3,h4,h5,h6{ line-height:1.35; margin-bottom:1em; }\nh1{ font-size:24px; }\nh2{ font-size:20px; }\nh3{ font-size:18px; }\nh4{ font-size:16px; }\nh5{ font-size:14px; }\nh6{ font-size:12px; }\np,ul,ol,blockquote,dl,table{ margin:1.2em 0; }\nul,ol{ margin-left:2em; }\nul{ list-style:disc; }\nol{ list-style:decimal; }\nli,li p{ margin:10px 0;}\nimg{ max-width:100%;display:block;margin:0 auto 1em; }\nblockquote{ color:#B5B2B1; border-left:3px solid #aaa; padding:1em; }\nstrong,b{font-weight:bold;}\nem,i{font-style:italic;}\ntable{ width:100%;border-collapse:collapse;border-spacing:1px;margin:1em 0;font-size:.9em; }\nth,td{ padding:5px;text-align:left;border:1px solid #aaa; }\nth{ font-weight:bold;background:#5d5d5d; }\n.symbol-link{font-weight:bold;}\n/* header{ border-bottom:1px solid #494756; } */\n.title{ margin:0 0 8px;line-height:1.3;color:#ddd; }\n.meta {color:#5e5c6d;font-size:13px;margin:0 0 .5em; }\na{text-decoration:none; color:#2a4b87;}\n.meta .head { display: inline-block; overflow: hidden}\n.head .h-thumb { width: 30px; height: 30px; margin: 0; padding: 0; border-radius: 50%; float: left;}\n.head .h-content { margin: 0; padding: 0 0 0 9px; float: left;}\n.head .h-name {font-size: 13px; color: #eee; margin: 0;}\n.head .h-time {font-size: 11px; color: #7E829C; margin: 0;line-height: 11px;}\n.small {font-size: 12.5px; display: inline-block; transform: scale(0.9); -webkit-transform: scale(0.9); transform-origin: left; -webkit-transform-origin: left;}\n.smaller {font-size: 12.5px; display: inline-block; transform: scale(0.8); -webkit-transform: scale(0.8); transform-origin: left; -webkit-transform-origin: left;}\n.bt-text {font-size: 12px;margin: 1.5em 0 0 0}\n.bt-text p {margin: 0}\n</style>\n</head>\n<body>\n<div class=\"wrapper\">\n<header>\n<h2 class=\"title\">\n性能大幅优于HBM！英特尔推全新内存，或重返DRAM\n</h2>\n\n<h4 class=\"meta\">\n\n\n2026-02-04 10:38 北京时间&nbsp;&nbsp;&nbsp;<a href=http://gu.qq.com/resources/shy/news/detail-v2/index.html#/?id=nesSN20260204104318a479d8b1&s=b><strong>EETOP</strong></a>\n\n\n</h4>\n\n</header>\n<article>\n<div>\n<p>英特尔正依托当前持续旺盛的动态随机存取存储器（DRAM）市场需求，与软银旗下子公司达成合作，推出全新的ZAM内存技术。英特尔ZAM内存模组：凭创新互连与EMIB技术实现更高能效今年，人工智能基础设施建设迎来全面爆发期，在超大规模数据中心运营商和芯片制造商的需求驱动下，DRAM的市场需求呈爆发式增长。更关键的是，全球内存核心供应商数量有限，当前该领域的供应链瓶颈问题极为突出，这也让新竞争者的入局成为...</p>\n\n<a href=\"http://gu.qq.com/resources/shy/news/detail-v2/index.html#/?id=nesSN20260204104318a479d8b1&s=b\">网页链接</a>\n\n</div>\n\n\n</article>\n</div>\n</body>\n</html>\n","isBrief":false,"type":0,"news_type":1,"symbol":"BK4602","symbol_name":"量子计算概念","start_time":0,"source_url":"http://gu.qq.com/resources/shy/news/detail-v2/index.html#/?id=nesSN20260204104318a479d8b1&s=b","article_id":"2608335996","we_media_id":null,"thumbnails":[],"rights":{"source":"tencent","url":"http://gu.qq.com/resources/shy/news/detail-v2/index.html#/?id=nesSN20260204104318a479d8b1&s=b","rn_cache_url":null,"customStyle":"body{padding-top:10px;}#news_title{font-weight:bold;#titleStyle#;}#news_description span{font-size:12px;#descriptionStyle#;}.footer-note{#statement#}","selectors":".mod-LoadTzbdNews, body","filters":".relate-stock, .hot-list, .recom-box, .wx-sou","directOrigin":true},"url":"https://stock-news.laohu8.com/highlight/detail?id=2608335996","pubTimestamp":1770172697,"columns":[],"sourceInfo":{"source_id":"tencent","name":"腾讯"},"weMediaInfo":null,"summary":"英特尔正依托当前持续旺盛的动态随机存取存储器市场需求，与软银旗下子公司达成合作，推出全新的ZAM内存技术。英特尔ZAM内存模组：凭创新互连与EMIB技术实现更高能效今年，人工智能基础设施建设迎来全面爆发期，在超大规模数据中心运营商和芯片制造商的需求驱动下，DRAM的市场需求呈爆发式增长。事实上，这并非英特尔首次涉足DRAM领域。","collect":0,"end_time":0,"defaultTopTitle":"qq.com","property":[],"viewcount":null,"language":"zh","relate_stocks":{"BK4602":"量子计算概念","BK4529":"IDC概念","BK4575":"芯片概念","04335":"英特尔-T","BK4535":"淡马锡持仓","BK4515":"5G概念","LU0274383776.USD":"MANULIFE GF US SMALL CAP EQUITY \"AA\" (USD) INC","LU2089985449.USD":"MANULIFE GF GLOBAL SEMICONDUCTOR OPPORTUNITIES \"AA\" (USD) ACC","BK4612":"AI芯片","LU2931357623.SGD":"MANULIFE GF GLOBAL SEMICONDUCTOR OPPORTUNITIES \"AA\" (SGDHDG) ACC","BK4550":"红杉资本持仓","BK4579":"人工智能","BK4588":"碎股","BK4605":"半导体精选","LU2148611432.USD":"AZ ALLOCATION BALANCED BRAVE \"AAZ\" (USDHDG) ACC","LU0081259029.USD":"UBS (LUX) EQUITY FUND - TECH OPPORTUNITY \"P\" (USD) ACC","LU2543165471.USD":"E FUND (HK) GLOBAL QUALITY GROWTH \"A\" (USD) ACC","BK4512":"苹果概念","BK4554":"元宇宙及AR概念","BK4527":"明星科技股","BK4543":"AI","BK4534":"瑞士信贷持仓","INTC":"英特尔","LU0097036916.USD":"贝莱德美国增长A2 USD","BK4533":"AQR资本管理(全球第二大对冲基金)","BK4585":"ETF&股票定投概念","BK4141":"半导体产品","LU0321505868.SGD":"Schroder ISF Global Dividend Maximiser A Dis SGD","LU0321505439.SGD":"Schroder ISF Global Dividend Maximiser A Acc SGD"},"translate_title":"The performance is significantly better than HBM! Intel launches new memory, or returns to DRAM","themeId":null,"isJumpTheme":false,"ttsUrl":null,"symbols_score_info":{"INTC":1.96,"04335":1.96},"content_text":"英特尔正依托当前持续旺盛的动态随机存取存储器（DRAM）市场需求，与软银旗下子公司达成合作，推出全新的ZAM内存技术。英特尔ZAM内存模组：凭创新互连与EMIB技术实现更高能效今年，人工智能基础设施建设迎来全面爆发期，在超大规模数据中心运营商和芯片制造商的需求驱动下，DRAM的市场需求呈爆发式增长。更关键的是，全球内存核心供应商数量有限，当前该领域的供应链瓶颈问题极为突出，这也让新竞争者的入局成为行业刚需——据悉，英特尔正瞄准这一机遇，在内存业务板块开辟全新赛道。有消息称，英特尔将与软银旗下的Saimemory联手，研发名为Z型角度内存（Z-Angle Memory，ZAM）的全新行业标准。据悉，ZAM内存技术的研发工作，最早启动于美国能源部（DoE）发起的先进内存技术（AMT）项目，英特尔也正是在该项目中，首次对外展示了其自研的“下一代”DRAM键合技术。软银发布的官方公告中，并未具体明确ZAM内存的市场定位，但结合英特尔已公开的DRAM键合技术细节来看，ZAM大概率会采用交错式互连拓扑结构：在芯片堆叠内部以对角线方式布设连接线路，而非传统技术中垂直直连的设计。英特尔高管在谈及下一代DRAM键合技术时表示：“传统内存架构已无法适配人工智能的发展需求，下一代DRAM键合技术（NGDB）开创了全新的技术路径，将推动行业迈入下一个十年。我们正重新思考DRAM的架构设计逻辑，从底层推动计算机系统架构的升级，力求实现性能的数量级提升，并将这些创新成果融入行业通用标准。”通过Z型角度的互连设计，英特尔能将硅片面积的绝大部分高效用于存储单元的布局，从而实现更高的存储密度，同时降低器件热阻。从英特尔DRAM键合技术的现有设计思路来看，ZAM内存还将采用铜-铜混合键合技术，该技术可实现芯片层间的高效融合，打造出类单片式的硅芯片模块，而非传统技术中相互独立的堆叠结构。此外，据悉ZAM内存将采用无电容设计，英特尔会通过嵌入式多芯片互连桥接技术（EMIB），实现该内存与人工智能芯片的高效互连。软银与英特尔合作研发ZAM内存，最终也将实现对内存堆叠技术的自主掌控。这款技术或将率先搭载于软银自研的定制化专用集成电路（ASIC），比如Izanagi系列芯片，这也将让软银在芯片架构布局上掌握更强的主导权。目前尚无具体数据披露ZAM内存相较高带宽内存（HBM）的实际性能提升幅度，但Z型角度的互连设计，能为ZAM带来更优的能效和更高的存储密度，最终实现芯片的更高层数堆叠。整体来看，ZAM内存对比传统HBM内存的核心优势体现在三方面：1.功耗降低40%至50%；2.依托Z型角度互连技术，大幅简化芯片制造流程；3.单芯片存储容量提升，最高可达512GB。事实上，这并非英特尔首次涉足DRAM领域。该公司曾专门布局DRAM业务，但在1985年，受日本厂商的激烈竞争冲击，英特尔的DRAM市场份额大幅下滑，最终选择退出该领域。而如今，内存市场的发展红利为企业创造了巨大的发展机遇，英特尔的ZAM内存能否在行业中站稳脚跟、掀起变革，成为了行业关注的焦点。而想要实现这一目标，英特尔的关键一步，便是说服英伟达这类行业龙头企业，在其产品中集成ZAM技术。欢迎加入 EETOP 微信群EETOP创芯大讲堂芯片课程推荐","kind":"news","is_publish_news":true,"is_publish_highlight":false,"is_publish_live":false,"is_publish_wemedia":null,"editions":null,"column":"","sentiment":"1","news_tag":"productRelease","news_rank":0,"isVideo":false,"video":null,"symbols":[],"gpt_button":0,"need_auth":false,"need_login_tip":false,"code":"91000000","status":"200"},"commentList":[{"id":529148708365064,"gmtCreate":1770176369483,"gmtModify":1770176372045,"author":{"id":"4202779818057622","authorId":"4202779818057622","name":"太乙真人的徒弟","avatar":"https://static.tigerbbs.com/f5f5a3bd50ed6e571db7f39b25188340","vip":1,"crmLevel":9,"crmLevelSwitch":0,"wearingBadges":[],"idStr":"4202779818057622","authorIdStr":"4202779818057622"},"htmlText":"加油","listText":"加油","text":"加油","images":[],"top":1,"highlighted":1,"essential":1,"paper":1,"likeSize":1,"commentSize":0,"repostSize":0,"link":"https://laohu8.com/post/529148708365064","repostId":2608335996,"repostType":2,"repost":{"id":"2608335996","kind":"news","pubTimestamp":1770172697,"share":"https://www.laohu8.com/m/news/2608335996?lang=zh_CN&edition=full","pubTime":"2026-02-04 10:38","market":"us","language":"zh","title":"性能大幅优于HBM！英特尔推全新内存，或重返DRAM","url":"https://stock-news.laohu8.com/highlight/detail?id=2608335996","media":"EETOP","summary":"英特尔正依托当前持续旺盛的动态随机存取存储器市场需求，与软银旗下子公司达成合作，推出全新的ZAM内存技术。英特尔ZAM内存模组：凭创新互连与EMIB技术实现更高能效今年，人工智能基础设施建设迎来全面爆发期，在超大规模数据中心运营商和芯片制造商的需求驱动下，DRAM的市场需求呈爆发式增长。事实上，这并非英特尔首次涉足DRAM领域。","content":"<html><body><article><p><a href=\"https://laohu8.com/S/INTC\">英特尔</a>正依托当前持续旺盛的动态随机存取存储器（DRAM）市场需求，与软银旗下子公司达成合作，推出全新的ZAM内存技术。</p><img src=\"https://inews.gtimg.com/om_bt/ORHjiXshkIhBiP9EanV-lVlLMb-lmdF5GaR2rALQOW0AcAA/0\"/><p>英特尔ZAM内存模组：凭创新互连与EMIB技术实现更高能效</p><p>今年，人工智能基础设施建设迎来全面爆发期，在超大规模数据中心运营商和芯片制造商的需求驱动下，DRAM的市场需求呈爆发式增长。更关键的是，全球内存核心供应商数量有限，当前该领域的供应链瓶颈问题极为突出，这也让新竞争者的入局成为行业刚需——据悉，英特尔正瞄准这一机遇，在内存业务板块开辟全新赛道。有消息称，英特尔将与软银旗下的Saimemory联手，研发名为Z型角度内存（Z-Angle Memory，ZAM）的全新行业标准。</p><p>据悉，ZAM内存技术的研发工作，最早启动于<a href=\"https://laohu8.com/S/USEG\">美国能源</a>部（DoE）发起的先进内存技术（AMT）项目，英特尔也正是在该项目中，首次对外展示了其自研的“下一代”DRAM键合技术。软银发布的官方公告中，并未具体明确ZAM内存的市场定位，但结合英特尔已公开的DRAM键合技术细节来看，ZAM大概率会采用交错式互连拓扑结构：在芯片堆叠内部以对角线方式布设连接线路，而非传统技术中垂直直连的设计。</p><p>英特尔高管在谈及下一代DRAM键合技术时表示：“传统内存架构已无法适配人工智能的发展需求，下一代DRAM键合技术（NGDB）开创了全新的技术路径，将推动行业迈入下一个十年。我们正重新思考DRAM的架构设计逻辑，从底层推动计算机系统架构的升级，力求实现性能的数量级提升，并将这些创新成果融入行业通用标准。”</p><p>通过Z型角度的互连设计，英特尔能将硅片面积的绝大部分高效用于存储单元的布局，从而实现更高的存储密度，同时降低器件热阻。从英特尔DRAM键合技术的现有设计思路来看，ZAM内存还将采用铜-铜混合键合技术，该技术可实现芯片层间的高效融合，打造出类单片式的硅芯片模块，而非传统技术中相互独立的堆叠结构。此外，据悉ZAM内存将采用无电容设计，英特尔会通过嵌入式多芯片互连桥接技术（EMIB），实现该内存与人工智能芯片的高效互连。</p><p>软银与英特尔合作研发ZAM内存，最终也将实现对内存堆叠技术的自主掌控。这款技术或将率先搭载于软银自研的定制化专用集成电路（ASIC），比如Izanagi系列芯片，这也将让软银在芯片架构布局上掌握更强的主导权。目前尚无具体数据披露ZAM内存相较高带宽内存（HBM）的实际性能提升幅度，但Z型角度的互连设计，能为ZAM带来更优的能效和更高的存储密度，最终实现芯片的更高层数堆叠。</p><p>整体来看，ZAM内存对比传统HBM内存的核心优势体现在三方面：</p><p>1.功耗降低40%至50%；</p><p>2.依托Z型角度互连技术，大幅简化芯片制造流程；</p><p>3.单芯片存储容量提升，最高可达512GB。</p><p>事实上，这并非英特尔首次涉足DRAM领域。该公司曾专门布局DRAM业务，但在1985年，受日本厂商的激烈竞争冲击，英特尔的DRAM市场份额大幅下滑，最终选择退出该领域。而如今，内存市场的发展红利为企业创造了巨大的发展机遇，英特尔的ZAM内存能否在行业中站稳脚跟、掀起变革，成为了行业关注的焦点。而想要实现这一目标，英特尔的关键一步，便是说服<a href=\"https://laohu8.com/S/NVDA\">英伟达</a>这类行业龙头企业，在其产品中集成ZAM技术。</p><p>欢迎加入 EETOP 微信群</p><p>EETOP创芯大讲堂芯片课程推荐</p></article></body></html>","source":"tencent","collect":0,"html":"<!DOCTYPE html>\n<html>\n<head>\n<meta http-equiv=\"Content-Type\" content=\"text/html; charset=utf-8\" />\n<meta name=\"viewport\" content=\"width=device-width,initial-scale=1.0,minimum-scale=1.0,maximum-scale=1.0,user-scalable=no\"/>\n<meta name=\"format-detection\" content=\"telephone=no,email=no,address=no\" />\n<title>性能大幅优于HBM！英特尔推全新内存，或重返DRAM</title>\n<style type=\"text/css\">\na,abbr,acronym,address,applet,article,aside,audio,b,big,blockquote,body,canvas,caption,center,cite,code,dd,del,details,dfn,div,dl,dt,\nem,embed,fieldset,figcaption,figure,footer,form,h1,h2,h3,h4,h5,h6,header,hgroup,html,i,iframe,img,ins,kbd,label,legend,li,mark,menu,nav,\nobject,ol,output,p,pre,q,ruby,s,samp,section,small,span,strike,strong,sub,summary,sup,table,tbody,td,tfoot,th,thead,time,tr,tt,u,ul,var,video{ font:inherit;margin:0;padding:0;vertical-align:baseline;border:0 }\nbody{ font-size:16px; line-height:1.5; color:#999; background:transparent; }\n.wrapper{ overflow:hidden;word-break:break-all;padding:10px; }\nh1,h2{ font-weight:normal; line-height:1.35; margin-bottom:.6em; }\nh3,h4,h5,h6{ line-height:1.35; margin-bottom:1em; }\nh1{ font-size:24px; }\nh2{ font-size:20px; }\nh3{ font-size:18px; }\nh4{ font-size:16px; }\nh5{ font-size:14px; }\nh6{ font-size:12px; }\np,ul,ol,blockquote,dl,table{ margin:1.2em 0; }\nul,ol{ margin-left:2em; }\nul{ list-style:disc; }\nol{ list-style:decimal; }\nli,li p{ margin:10px 0;}\nimg{ max-width:100%;display:block;margin:0 auto 1em; }\nblockquote{ color:#B5B2B1; border-left:3px solid #aaa; padding:1em; }\nstrong,b{font-weight:bold;}\nem,i{font-style:italic;}\ntable{ width:100%;border-collapse:collapse;border-spacing:1px;margin:1em 0;font-size:.9em; }\nth,td{ padding:5px;text-align:left;border:1px solid #aaa; }\nth{ font-weight:bold;background:#5d5d5d; }\n.symbol-link{font-weight:bold;}\n/* header{ border-bottom:1px solid #494756; } */\n.title{ margin:0 0 8px;line-height:1.3;color:#ddd; }\n.meta {color:#5e5c6d;font-size:13px;margin:0 0 .5em; }\na{text-decoration:none; color:#2a4b87;}\n.meta .head { display: inline-block; overflow: hidden}\n.head .h-thumb { width: 30px; height: 30px; margin: 0; padding: 0; border-radius: 50%; float: left;}\n.head .h-content { margin: 0; padding: 0 0 0 9px; float: left;}\n.head .h-name {font-size: 13px; color: #eee; margin: 0;}\n.head .h-time {font-size: 11px; color: #7E829C; margin: 0;line-height: 11px;}\n.small {font-size: 12.5px; display: inline-block; transform: scale(0.9); -webkit-transform: scale(0.9); transform-origin: left; -webkit-transform-origin: left;}\n.smaller {font-size: 12.5px; display: inline-block; transform: scale(0.8); -webkit-transform: scale(0.8); transform-origin: left; -webkit-transform-origin: left;}\n.bt-text {font-size: 12px;margin: 1.5em 0 0 0}\n.bt-text p {margin: 0}\n</style>\n</head>\n<body>\n<div class=\"wrapper\">\n<header>\n<h2 class=\"title\">\n性能大幅优于HBM！英特尔推全新内存，或重返DRAM\n</h2>\n\n<h4 class=\"meta\">\n\n\n2026-02-04 10:38 北京时间&nbsp;&nbsp;&nbsp;<a href=http://gu.qq.com/resources/shy/news/detail-v2/index.html#/?id=nesSN20260204104318a479d8b1&s=b><strong>EETOP</strong></a>\n\n\n</h4>\n\n</header>\n<article>\n<div>\n<p>英特尔正依托当前持续旺盛的动态随机存取存储器（DRAM）市场需求，与软银旗下子公司达成合作，推出全新的ZAM内存技术。英特尔ZAM内存模组：凭创新互连与EMIB技术实现更高能效今年，人工智能基础设施建设迎来全面爆发期，在超大规模数据中心运营商和芯片制造商的需求驱动下，DRAM的市场需求呈爆发式增长。更关键的是，全球内存核心供应商数量有限，当前该领域的供应链瓶颈问题极为突出，这也让新竞争者的入局成为...</p>\n\n<a href=\"http://gu.qq.com/resources/shy/news/detail-v2/index.html#/?id=nesSN20260204104318a479d8b1&s=b\">网页链接</a>\n\n</div>\n\n\n</article>\n</div>\n</body>\n</html>\n","type":0,"thumbnail":"","relate_stocks":{"BK4602":"量子计算概念","BK4529":"IDC概念","BK4575":"芯片概念","04335":"英特尔-T","BK4535":"淡马锡持仓","BK4515":"5G概念","LU0274383776.USD":"MANULIFE GF US SMALL CAP EQUITY \"AA\" (USD) INC","LU2089985449.USD":"MANULIFE GF GLOBAL SEMICONDUCTOR OPPORTUNITIES \"AA\" (USD) ACC","BK4612":"AI芯片","LU2931357623.SGD":"MANULIFE GF GLOBAL SEMICONDUCTOR OPPORTUNITIES \"AA\" (SGDHDG) ACC","BK4550":"红杉资本持仓","BK4579":"人工智能","BK4588":"碎股","BK4605":"半导体精选","LU2148611432.USD":"AZ ALLOCATION BALANCED BRAVE \"AAZ\" (USDHDG) ACC","LU0081259029.USD":"UBS (LUX) EQUITY FUND - TECH OPPORTUNITY \"P\" (USD) ACC","LU2543165471.USD":"E FUND (HK) GLOBAL QUALITY GROWTH \"A\" (USD) ACC","BK4512":"苹果概念","BK4554":"元宇宙及AR概念","BK4527":"明星科技股","BK4543":"AI","BK4534":"瑞士信贷持仓","INTC":"英特尔","LU0097036916.USD":"贝莱德美国增长A2 USD","BK4533":"AQR资本管理(全球第二大对冲基金)","BK4585":"ETF&股票定投概念","BK4141":"半导体产品","LU0321505868.SGD":"Schroder ISF Global Dividend Maximiser A Dis SGD","LU0321505439.SGD":"Schroder ISF Global Dividend Maximiser A Acc SGD"},"source_url":"http://gu.qq.com/resources/shy/news/detail-v2/index.html#/?id=nesSN20260204104318a479d8b1&s=b","is_english":false,"share_image_url":"https://static.laohu8.com/9a95c1376e76363c1401fee7d3717173","article_id":"2608335996","content_text":"英特尔正依托当前持续旺盛的动态随机存取存储器（DRAM）市场需求，与软银旗下子公司达成合作，推出全新的ZAM内存技术。英特尔ZAM内存模组：凭创新互连与EMIB技术实现更高能效今年，人工智能基础设施建设迎来全面爆发期，在超大规模数据中心运营商和芯片制造商的需求驱动下，DRAM的市场需求呈爆发式增长。更关键的是，全球内存核心供应商数量有限，当前该领域的供应链瓶颈问题极为突出，这也让新竞争者的入局成为行业刚需——据悉，英特尔正瞄准这一机遇，在内存业务板块开辟全新赛道。有消息称，英特尔将与软银旗下的Saimemory联手，研发名为Z型角度内存（Z-Angle Memory，ZAM）的全新行业标准。据悉，ZAM内存技术的研发工作，最早启动于美国能源部（DoE）发起的先进内存技术（AMT）项目，英特尔也正是在该项目中，首次对外展示了其自研的“下一代”DRAM键合技术。软银发布的官方公告中，并未具体明确ZAM内存的市场定位，但结合英特尔已公开的DRAM键合技术细节来看，ZAM大概率会采用交错式互连拓扑结构：在芯片堆叠内部以对角线方式布设连接线路，而非传统技术中垂直直连的设计。英特尔高管在谈及下一代DRAM键合技术时表示：“传统内存架构已无法适配人工智能的发展需求，下一代DRAM键合技术（NGDB）开创了全新的技术路径，将推动行业迈入下一个十年。我们正重新思考DRAM的架构设计逻辑，从底层推动计算机系统架构的升级，力求实现性能的数量级提升，并将这些创新成果融入行业通用标准。”通过Z型角度的互连设计，英特尔能将硅片面积的绝大部分高效用于存储单元的布局，从而实现更高的存储密度，同时降低器件热阻。从英特尔DRAM键合技术的现有设计思路来看，ZAM内存还将采用铜-铜混合键合技术，该技术可实现芯片层间的高效融合，打造出类单片式的硅芯片模块，而非传统技术中相互独立的堆叠结构。此外，据悉ZAM内存将采用无电容设计，英特尔会通过嵌入式多芯片互连桥接技术（EMIB），实现该内存与人工智能芯片的高效互连。软银与英特尔合作研发ZAM内存，最终也将实现对内存堆叠技术的自主掌控。这款技术或将率先搭载于软银自研的定制化专用集成电路（ASIC），比如Izanagi系列芯片，这也将让软银在芯片架构布局上掌握更强的主导权。目前尚无具体数据披露ZAM内存相较高带宽内存（HBM）的实际性能提升幅度，但Z型角度的互连设计，能为ZAM带来更优的能效和更高的存储密度，最终实现芯片的更高层数堆叠。整体来看，ZAM内存对比传统HBM内存的核心优势体现在三方面：1.功耗降低40%至50%；2.依托Z型角度互连技术，大幅简化芯片制造流程；3.单芯片存储容量提升，最高可达512GB。事实上，这并非英特尔首次涉足DRAM领域。该公司曾专门布局DRAM业务，但在1985年，受日本厂商的激烈竞争冲击，英特尔的DRAM市场份额大幅下滑，最终选择退出该领域。而如今，内存市场的发展红利为企业创造了巨大的发展机遇，英特尔的ZAM内存能否在行业中站稳脚跟、掀起变革，成为了行业关注的焦点。而想要实现这一目标，英特尔的关键一步，便是说服英伟达这类行业龙头企业，在其产品中集成ZAM技术。欢迎加入 EETOP 微信群EETOP创芯大讲堂芯片课程推荐","news_type":1,"symbols_score_info":{"INTC":1.96,"04335":1.96}},"isVote":1,"likeStatus":false,"favoriteStatus":false,"reportStatus":false,"tweetType":1,"langContent":"CN"}],"isCommentEnd":true,"newsSizeData":{"likeSize":0,"commentSize":1,"repostSize":1,"favoriteSize":1,"likeStatus":false,"favoriteStatus":false},"APP":{"userAgent":"Mozilla/5.0 AppleWebKit/537.36 (KHTML, like Gecko; compatible; ClaudeBot/1.0; +claudebot@anthropic.com)","isDev":false,"isTTM":false,"tenantId":"TBCN","deviceId":"web-server-community-laohu8-v3","version":"4.43.1","shortVersion":"4.43.1","platform":"web","vendor":"web","appName":"laohu8","isIOS":false,"isAndroid":false,"isTiger":false,"isTHS":false,"isWeiXin":false,"isWeiXinMini":false,"isWeiBo":false,"isQQ":false,"isBaiduSwan":false,"isBaiduBox":false,"isDingTalk":false,"isToutiao":false,"isOnePlus":false,"isHuaWei":false,"isXiaomi":false,"isXiaomiWebView":false,"isOppo":false,"isVivo":false,"isSamsung":false,"isMobile":false},"href":"/m/news/2608335996","isCrawlerRequest":true}