世界先进（5347） 28日宣布，已与台积电（2330）签署高压（650V）与低压（80V）氮化镓（GaN）制程技术授权协议，将加速开发新一代GaN电源元件，应用锁定资料中心、车用电子、工业控制与能源管理等高效率电能转换领域。世界先进表示，透过此次授权，公司将把硅基底功率氮化镓（GaN-on-Si）制程扩展至高压应用，并提供完整GaN-on-Si平台，同时结合既有的新基底功率氮化镓（GaN-on-...
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