国林科技：半导体臭氧设备可实现纳米级均匀氧化层

证券之星消息，国林科技(300786)01月20日在投资者关系平台上答复投资者关心的问题。

投资者提问：公司的半导体臭氧设备产生的臭氧能否在3D NAND存储芯片结构中形成纳米级均匀氧化层？

国林科技回复：尊敬的投资者，您好。公司的半导体专用臭氧系统设备能够产生高浓度、超纯净的臭氧，臭氧在电子工业领域被广泛用于形成CVD及ALD薄膜、氧化物生长等工艺环节。在3D NAND存储芯片结构中，臭氧因其高氧化性、清洁效率和环保特性，能够满足半导体制造对精度、缺陷控制和材料兼容性的严苛要求，从而实现纳米级均匀氧化层的形成。感谢您的关注。

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