SK海力士与三星加速HBF技术商业化进程 预计最快明年应用于英伟达产品

太平洋科技01-18

SK海力士正与闪迪合作制定HBF标准,计划最早于今年推出采用16层NAND闪存堆叠的HBF1样品。据悉,三星电子和闪迪计划最快在2027年底或2028年初将HBF技术应用于英伟达、AMD和谷歌的实际产品中。HBM之父金正浩教授表示,HBF研发速度将比HBM更快。HBF即高带宽闪存,通过堆叠NAND闪存制成。金正浩预测,2至3年内HBF方案将频繁涌现,到2038年左右HBF市场将超过HBM市场。随着...

网页链接
免责声明:本文观点仅代表作者个人观点,不构成本平台的投资建议,本平台不对文章信息准确性、完整性和及时性做出任何保证,亦不对因使用或信赖文章信息引发的任何损失承担责任。

精彩评论

我们需要你的真知灼见来填补这片空白
发表看法