SK海力士正与闪迪合作制定HBF标准,计划最早于今年推出采用16层NAND闪存堆叠的HBF1样品。据悉,三星电子和闪迪计划最快在2027年底或2028年初将HBF技术应用于英伟达、AMD和谷歌的实际产品中。HBM之父金正浩教授表示,HBF研发速度将比HBM更快。HBF即高带宽闪存,通过堆叠NAND闪存制成。金正浩预测,2至3年内HBF方案将频繁涌现,到2038年左右HBF市场将超过HBM市场。随着...
网页链接SK海力士正与闪迪合作制定HBF标准,计划最早于今年推出采用16层NAND闪存堆叠的HBF1样品。据悉,三星电子和闪迪计划最快在2027年底或2028年初将HBF技术应用于英伟达、AMD和谷歌的实际产品中。HBM之父金正浩教授表示,HBF研发速度将比HBM更快。HBF即高带宽闪存,通过堆叠NAND闪存制成。金正浩预测,2至3年内HBF方案将频繁涌现,到2038年左右HBF市场将超过HBM市场。随着...
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