国家知识产权局信息显示,比亚迪股份有限公司;比亚迪半导体股份有限公司申请一项名为“单光子雪崩二极管及其制备方法、阵列和图像传感器”的专利,公开号CN121240561A,申请日期为2025年8月。专利摘要显示,本申请公开了一种单光子雪崩二极管及其制备方法、阵列和图像传感器,属于光电技术领域。单光子雪崩二极管的外延层被设置为第一导电类型,外延层包括相对的第一表面和第二表面,外延层包括被设置为第二导电...
网页链接国家知识产权局信息显示,比亚迪股份有限公司;比亚迪半导体股份有限公司申请一项名为“单光子雪崩二极管及其制备方法、阵列和图像传感器”的专利,公开号CN121240561A,申请日期为2025年8月。专利摘要显示,本申请公开了一种单光子雪崩二极管及其制备方法、阵列和图像传感器,属于光电技术领域。单光子雪崩二极管的外延层被设置为第一导电类型,外延层包括相对的第一表面和第二表面,外延层包括被设置为第二导电...
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