前言在消费电子高功率密度化、AI数据中心加速扩张以及车载与工业电源不断升级的背景下,低压氮化镓正成为推动电源效率与功率密度跃升的核心器件之一。相比传统硅MOS,低压GaN具备更小导阻、更低开关损耗与更高开关频率优势,使其在快充次级DC-DC、48V轻混系统、数据中心直流电源模组、车载辅助电源与各类高频电源系统中快速渗透,市场需求呈现出持续扩张态势。为探究低压氮化镓企业分布情况,GaNFET.com...
网页链接前言在消费电子高功率密度化、AI数据中心加速扩张以及车载与工业电源不断升级的背景下,低压氮化镓正成为推动电源效率与功率密度跃升的核心器件之一。相比传统硅MOS,低压GaN具备更小导阻、更低开关损耗与更高开关频率优势,使其在快充次级DC-DC、48V轻混系统、数据中心直流电源模组、车载辅助电源与各类高频电源系统中快速渗透,市场需求呈现出持续扩张态势。为探究低压氮化镓企业分布情况,GaNFET.com...
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