据消息,全球存储芯片巨头SK海力士位于韩国清州的M15X芯片厂将比原计划提前四个月投入量产。该工厂原定于2026年6月启动生产,现调整至2026年2月即可量产用于高带宽内存HBM4的核心组件1b DRAM晶圆,初期月产能约1万片,预计到2026年底将实现数倍产能扩张。技术验证与客户合作同步推进目前SK海力士已完成1b HBM4工艺,采用改进型电路的HBM4晶圆将于2025年底完成制造,并计划在...
网页链接据消息,全球存储芯片巨头SK海力士位于韩国清州的M15X芯片厂将比原计划提前四个月投入量产。该工厂原定于2026年6月启动生产,现调整至2026年2月即可量产用于高带宽内存HBM4的核心组件1b DRAM晶圆,初期月产能约1万片,预计到2026年底将实现数倍产能扩张。技术验证与客户合作同步推进目前SK海力士已完成1b HBM4工艺,采用改进型电路的HBM4晶圆将于2025年底完成制造,并计划在...
网页链接
精彩评论