随着高性能计算、高功率电子器件和先进封装技术的快速发展,芯片散热已成为制约系统性能与可靠性的关键瓶颈。金刚石因其极高的热导率和优异的介电强度,被认为是下一代集成电路和封装领域极具潜力的散热材料。在后端工艺(BEOL)制造中,材料沉积温度通常需要控制在 450 °C 及以下,以避免对既有金属互连结构和器件性能造成损伤。然而,在如此低的温度条件下制备兼具连续性、低缺陷密度与高热导率的金刚石薄膜,一直是...
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