国林科技：臭氧在ALD中作氧前驱体，在ALE中作氧化剂

证券之星消息，国林科技(300786)12月16日在投资者关系平台上答复投资者关心的问题。

投资者提问：原子级制造目前主流的技术为原子层刻蚀ale和原子层沉积ald，而臭氧在ale和ald中均发挥了重要作用。公司作为国内半导体臭氧设备的领先企业，能否分别介绍一下臭氧在原子层刻蚀ale和原子层沉积ald的技术原理有何不同？

国林科技回复：尊敬的投资者，您好。二者核心差异是作用相反，且均依托自限性循环：臭氧在 ALD 中作氧前驱体，与 TMA 等反应沉积单原子层氧化物薄膜；在 ALE 中作氧化剂，氧化基底表面原子后剥离，实现单原子层刻蚀。感谢您的关注。

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