摩根大通2026年存储市场展望：今年巨头市值逼近1万亿美元，2027年1.5万亿美元

华尔街见闻2025-12-15

摩根大通预计存储芯片迎史上最长景气周期：头部厂商市值今年逼近万亿美元，2027年将飙至1.5万亿，涨幅超50%。HBM需求持续挤占传统DRAM产能，AI推理对内存消耗是训练3倍，供需缺口将延续至2027年。预测2026财年DRAM价格暴涨53%，企业级市场强劲将完全抵消消费端压力。摩根大通在最新研报中指出，当前头部存储芯片制造商的总市值已接近1万亿美元。基于历史估值中枢推算，到2027年这一数字将...

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ASP上涨约30%。2027财年（FY27E）：即使在价格高位持续时间延长的背景下，DRAM ASP预计仍将微涨1%，NAND ASP则可能小幅回调6%。AI驱动力：HBM与eSSD的结构性机遇HBM（高带宽内存）：GPU与ASIC之争的顺风车 Google Gemini 3.0的积极反馈引发了GPU与ASIC的路线之争，但这对于HBM需求而言是双重利好。规格升级：Google下一代2nm TPU可能采用HBM4，加上Rubin Pro GPU带来的4倍容量增长，将持续挤压供应链。持续短缺：摩根大通预计HBM的供需短缺（约8%-12%的缺口）将贯穿2027年，甚至可能延续至2028年。SSD（固态硬盘）：推理应用的关键 AI推理的兴起正在推动企业级SSD（eSSD）的市场扩张。AI服务器对SSD的搭载量是普通服务器的3倍。由于HDD（机械硬盘）厂商在2026年的资本开支指引谨慎，摩根大通预计eSSD将在未来6个月享受巨大的需求顺风，推动2026财年NAND价格上涨27%。资本开支：增长但克制尽管存储厂商宣布了一系列产能扩张计划，但摩根大通认为其实际产生的位元供应增长将被物理迁移挑战所抵消。设备支出先行：预计存储晶圆厂设备（WFE）的增长将大幅领先于总体资本开支的增长（2026/2027年DRAM WFE分别增长19%/26%）。强度可控：无论是DRAM（低于30%）还是NAND（低于20%），隐含的资本密集度都将低于过去五年的平均水平。这意味着供应端仍保持着显著的纪律性。","kind":"highlight","is_publish_news":true,"is_publish_highlight":true,"is_publish_live":false,"is_publish_wemedia":null,"editions":null,"column":"","sentiment":"1","news_tag":"","news_rank":0,"symbols":[],"gpt_button":0,"need_auth":false,"code":"91000000","status":"200"},"commentList":[],"isCommentEnd":true,"newsSizeData":{"likeSize":2,"commentSize":0,"repostSize":0,"favoriteSize":0,"likeStatus":false,"favoriteStatus":false},"APP":{"userAgent":"Mozilla/5.0 AppleWebKit/537.36 (KHTML, like Gecko; compatible; ClaudeBot/1.0; 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