赛微电子：公司以新角色继续支持聚能创芯GaN业务发展

证券之星消息，赛微电子(300456)12月16日在投资者关系平台上答复投资者关心的问题。

投资者提问：公司在 GaN（氮化镓）技术方面的最新进展如何？作为公司的核心业务，GaN 技术在射频器件、功率器件等领域的应用前景如何？

赛微电子回复：您好，GaN是第三代半导体材料及器件的一个类别，因其禁带宽度（Eg）大于或等于2.3电子伏特（eV），又被称为宽禁带半导体材料，与第一、二代半导体材料硅（Si）和砷化镓（GaAs）相比，第三代半导体材料及器件具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子速率等优点，可以满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求。聚能创芯于2023年完成融资后不再是公司控股子公司，不再纳入公司合并报表范围；但这并不意味着公司不再关注GaN领域，公司是以新的角色继续关注、支持聚能创芯氮化镓（GaN）业务的发展。谢谢关注！

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