功率密度提升30%，英诺赛科携手Allegro推出全氮化镓AI数据中心电源方案

充电头网2025-12-09

前言随着AI、高密度计算以及通信服务器对电源性能提出更高要求，传统硅基功率器件难以满足日益膨胀的功率以及高效率需求。而第三代半导体氮化镓凭借高速开关、无反向恢复、低栅极电荷特性，被视为下一代服务器与通信电源的核心改进路线。充电头网获悉，近期英诺赛科与Allegro携手推出一款具有开创意义的4.2kWAI数据中心全氮化镓电源参考设计——INNDAD4K2A1。该方案全面结合英诺赛科旗下650V/...

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V,3.9mΩ，FCQFN封装）低压氮化镓。这些器件分别部署于PFC、LLC以及同步整流中，全GaN设计直接解锁了如下三点优势：1、无反向恢复特性大幅降低损耗图腾柱PFC在CCM模式下长期受限于硅MOS的体二极管反向恢复，易出现大电流尖峰、EMI难以抑制 、硬开关损耗过高等诸多问题。而英诺赛科InnoGaN具备无反向恢复特性，可在CCM下高速切换，大幅降低损耗并显著改善波形，以达成更高效率的图腾柱PFC电路。2、超低栅极电荷InnoGaN对比同导阻硅MOS，栅极电荷仅为1/7，且Coss更线性。该特性意味着高频损耗更低 、LLC工作频率更高、磁件尺寸更小，最终提升系统整体效率。3、150V低压GaN进一步提升同步整流效率对于最高87A的输出级别而言，同步整流电路设计决定了最终效率天花板。英诺赛科150V的INN150EQ032A提供3.9mΩ超低导阻，适配48V高电流输出场景。该器件的引入大幅降低同步整流导通损耗，实现更高整体效率，并提升重载稳定性应用空间英诺赛科这套4.2kW全氮化镓方案可直接面向CRPS / OCP架构AI数据中心服务器、通信服务器、高功率LED驱动、电源照明系统等诸多场景应用。整体看来，氮化镓已从适配器、小功率电源等消费级应用，全面跨入千万级AI数据中心电源领域。充电头网总结本次英诺赛科联合Allegro推出INNDAD4K2A1的4.2KW电源方案并不仅是Demo，而是一份强有力的技术证明，可见氮化镓在AI服务器领域系统价值全面超过传统硅器件，在效率、功率密度、散热、可靠性中全面领先。于此同时，英诺赛科自主可控的8英寸氮化镓晶圆产线产能稳定，成本更具优势，器件一致性更强，可满足AI数据中心爆发式增长的氮化镓器件需求，促进服务器集群进一步提升电源效率，降低能源浪费，为相关产业节省百万级的电费支出。","kind":"news","is_publish_news":true,"is_publish_highlight":false,"is_publish_live":false,"is_publish_wemedia":null,"editions":null,"column":"","sentiment":"1","news_tag":"productRelease","news_rank":0,"symbols":[],"gpt_button":0,"need_auth":false,"code":"91000000","status":"200"},"commentList":[],"isCommentEnd":true,"newsSizeData":{"likeSize":0,"commentSize":0,"repostSize":0,"favoriteSize":0,"likeStatus":false,"favoriteStatus":false},"APP":{"userAgent":"Mozilla/5.0 AppleWebKit/537.36 (KHTML, like Gecko; compatible; ClaudeBot/1.0; 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