2026年CoWoS产能，被谁瓜分？

Ofweek维科网12-04 16:20

当晶体管微缩逼近物理极限，先进封装便成为决定芯片性能的“第二核心阵地”。而EMIB的出现，恰逢其时。012026年CoWoS产能，被谁瓜分？CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate），是AI 时代名副其实的“香饽饽”。作为台积电在“超越摩尔定律” 道路上的核心技术，Chip-on-Wafer（CoW）工艺将多个芯片（如GPU、CPU和HBM等）堆叠并键合到硅中介晶圆上；然后...

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芯片企业，均面临 CoWoS 产能获取不足的困境。日前摩根士丹利报告预测，到2026年，英伟达的CoWoS晶圆总需求量将达到59.5万片，占全球总需求的60%。这笔庞大的订单中，约51万片将由台积电承接，主要用于下一代Rubin架构芯片。据此推算，2026年英伟达芯片出货量可达540万颗，其中240万颗将来自Rubin平台。Amkor和日月光（ASE/SPIL）等外包封测厂（OSAT）也将为英伟达分担约8万片的CoWoS产能，主要用于其Vera CPU及汽车芯片等产品。紧随其后的是博通，预计需求达15万片，占总需求的15%。其产能主要服务于大客户的定制芯片（ASIC），包括为谷歌TPU预订的9万片（台积电8.5万片，日月光/硅品5千片）、为Meta预订的5万片，以及为OpenAI预订的1万片。AMD预计将获得10.5万片CoWoS晶圆，占据约11%的市场份额。其中，8万片将在台积电生产，用于其MI355和MI400系列AI加速器。其他玩家包括亚马逊、Marvell、联发科等。其中亚马逊通过其合作伙伴Alchip预订了5万片；Marvell为AWS和微软的定制芯片预订了5.5万片；联发科（MediaTek）为谷歌TPU项目预订了2万片。综合来看，上述几大客户已锁定台积电CoWoS总产能的85%以上，留给二线AI芯片厂商、专用ASIC企业及初创公司的份额不足15%。在排期普遍延后至2026年甚至更晚的背景下，产能稀缺已从技术瓶颈演变为市场准入门槛。当CoWoS成为少数巨头的专属资源，一个现实问题需要被重新考虑：除了CoWoS，还有没有其他选择？02英特尔EMIB，突袭！英特尔（Intel）的 EMIB 先进封装正成为芯片企业的备选方案之一。相较于CoWoS，EMIB拥有数项优势。首先是结构简化，EMIB舍弃昂贵且大面积的中介层，直接将芯片使用内嵌在载板的硅桥（Bridge）方式进行互连，简化整体结构，相对于CoWoS良率更高。其次是热膨胀系数（Coefficient of Thermal Expansion, CTE）问题较小，由于EMIB只在芯片边缘嵌硅桥，整体硅比例低，因此硅与基板的接触区域少，导致热膨胀系数不匹配的问题较小，较不容易产生封装翘曲与可靠度挑战。最后EMIB在封装尺寸也较具优势，相较于CoWoS-S仅能达到3.3倍光罩尺寸、CoWoS-L目前发展至3.5倍，预计在2027年达9倍；EMIB-M已可提供6倍光罩尺寸，并预计2026到2027年可支援到8倍至12倍。价格部分，因EMIB舍弃价格高昂的中介层，能为AI客户提供更具成本优势的解决方案。然而，EMIB技术也受限于硅桥面积与布线密度，可提供的互连带宽相对较低、讯号传输距离较长，并有延迟性略高的问题。英特尔自2021年宣布设立独立的晶圆代工服务(Intel Foundry Services, IFS)事业群，耕耘EMIB先进封装技术多年，已应用至自家Server CPU平台Sapphire Rapids和Granite Rapids等。EMIB关注度提升的背后，是以谷歌为代表的ASIC方案之崛起。据悉，Marvell 美满和联发科已考虑将英特尔的 EMIB 先进封装纳入 ASIC 芯片设计的可选项中，谷歌也决定于2027 年的 TPU v9 AI 芯片中导入英特尔 EMIB 先进封装试用。苹果、博通和高通也可能很快成为英特尔晶圆代工业务的客户。三家公司招聘信息显示，招聘封装工程师的关键要求之一是掌握英特尔 EMIB技术，这表明这些公司急于招聘熟悉英特尔 EMIB 技术的工程师，助力下一代产品设计。其中苹果以自研云端 ASIC 为核心方案，高通则聚焦 Tier 2 AI 加速卡产品，二者的应用场景均无需依赖 CoWoS 封装；相比之下，EMIB 封装具备更优成本效益，反而能更好适配其产品需求。此外，对于运算需求相对较低的 ASIC 推论场景，EMIB 封装同样具备技术支持能力。03先进封装，三强混战EMIB的崛起，正将先进封装市场拖入 “台积电、英特尔、三星” 的三强混战。台积电方面，有一点需要特别注意，台积电2026年CoWoS产能的大客户大都属于美国公司，如今美国客户希望实现全产业链的在美生产，但台积电和上下游暂无可用的在美后端产能。今年中旬，市场消息称台积电正在大规模推进在美生产计划，包括建设晶圆厂、研发中心和先进封装设施。除芯片制造外，CoWoS等先进封装技术是供应链中最关键的环节之一。据报道，台积电似乎正将战略重心转向该领域，计划2026年启动封装厂建设，预计将于2029年竣工投产。该封装厂将选址在亚利桑那州，台积电已开始招募CoWoS设备服务工程师。这座先进封装工厂将负责生产CoWoS及其衍生技术，以及SoIC和CoW等下一代封装方案，这些技术将应用于英伟达Rubin系列和AMD Instinct MI400等产品线。根据初步规划，亚利桑那州的封装厂将与当地晶圆厂实现联动，因为SoIC等产品需要使用带有中介层（interposer layer）的芯片。美国客户在封装环节仍依赖中国台湾产能。台积电美国晶圆厂制造的芯片需空运至中国台湾进行封装，导致整体成本攀升。因此，倘若美国没有本土化CoWoS制造能力，或许英特尔不失为一个选择。三星也在趁机搅局。三星的先进封装技术体系分为2.5D的I-Cube和3D的X-Cube两大系列。其中X-Cube作为三星3D封装的核心，通过TSV技术实现芯片垂直电气互连，分为凸点互连和混合键合两种工艺路径。此外，三星电子先进封装（AVP）部门还正在主导开发“半导体3.3D先进封装技术”，目标应用于AI半导体芯片，2026年第二季度量产。该技术通过安装RDL中介层替代硅中介层来连接逻辑芯片和HBM；并通过3D堆叠技术将逻辑芯片堆叠在LLC上。三星预计，新技术商业化之后，与现有硅中介层相比，性能不会下降，成本可节省22%。三星还将在3.3D封装引进“面板级封装(PLP)”技术。真正的变量在英特尔。今年英特尔代工大会上，英特尔公布了 EMIB 技术的新变体 —— EMIB-T，其中 T 指的应是 TSV 硅通孔；此外还有分别采用 RDL 重布线层和 Bridge 桥片的 Foveros-R、Foveros-B 封装。这一面向HBM4、UCIe 芯片集成的工艺通过 TSV 和 M Bridge 技术在基板中构建垂直的电力通道，而不会像传统方案一样需要“绕路”。这意味着 EMIB-T 可实现更低的直流 / 交流电噪声，有利于信号传输的稳定性。英特尔表示EMIB-T支持从其它 2.5D 先进封装技术迁移，同时这一过程无需重大重新设计。对于未来的 EMIB，英特尔预告其到 2026 年可通过超过 20 个 EMIB 桥实现约 120mm×120mm 的总封装尺寸，集成 12 个 HBM 内存堆栈；而到 2028 年，封装尺寸将进一步扩展到 120mm×180mm，HBM 数量将超过 24 个。全球第二大OSAT（外包封测）企业 Amkor 安靠在今年的英特尔代工 Direct Connect 大会上曾宣布与英特尔建立战略合作伙伴关系，Amkor 将在其多地制造工厂采用 EMIB 封装工艺，为 EMIB 建立替代来源。据悉，Amkor 决定在其韩国仁川松岛 K5 工厂建设 EMIB 产能，这是因为此地的设备足以满足 EMIB 先进封装工艺的需求，同时现有的材料、零部件、人才资源丰富。消息人士表示，Amkor 韩国仁川松岛 K5 工厂不仅将承担英特尔产品部门芯片的 EMIB 封装，也将为英特尔代工的外部客户提供服务。除韩国外，Amkor 的葡萄牙和美国亚利桑那州制造工厂也将导入英特尔 EMIB 工艺。据Yole数据，预计2025年全球先进封装市场规模占比将首次超过传统封装，达到51%，并持续以10.6%的CAGR增长至2028年的786亿美元。 EMIB 的崛起正在打破“一家独大” 的格局。与此同时，EMIB的崛起并不意味着CoWoS的衰落，而是先进封装行业迈入场景化精准匹配的新发展阶段。CoWoS在互联密度和超高频段信号完整性上的优势，仍是英伟达、AMD等高端GPU厂商的核心需求，短期内难以被替代。而EMIB则在ASIC、中端AI芯片等领域或可打开增量空间。原文标题 : 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