起底中国SiC大尺寸衬底多家8英寸产能冲刺百万片，12英寸产业化瓶颈待破

集微网2025-11-26

在全球碳化硅（SiC）半导体材料产业加速发展的背景下，中国本土企业在8英寸SiC衬底领域已形成规模化量产能力，技术突破持续涌现，应用场景不断拓宽，同时12英寸技术研发也取得阶段性成果，为行业长期发展奠定基础。本文将详细分析8英寸SiC衬底的发展现状、趋势及12英寸前景。产能布局：梯队格局清晰，规模扩张加速国内8英寸SiC衬底企业已形成“头部引领、腰部跟进、尾部追赶”的明确产能梯队。第一梯队以...

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MOSFET稳定供应；天科合达8英寸低电阻衬底则适配800V电驱系统、高压快充等高端车规场景，有效降低车辆能源损耗，天岳先进2024年交付的低阻P型8英寸衬底，还加速了高性能SiC-IGBT发展进程，推动车载特高压功率器件国产化。风光储与工业领域作为传统应用场景，8英寸衬底渗透持续深化。天岳先进的8英寸衬底被客户用于光伏逆变器、储能变流器等设备，显著提升能源转换效率；合盛硅业8英寸衬底虽处于小批量生产阶段，但依托其6英寸衬底在风光储领域95%以上的良率基础，快速推进8英寸产品在该领域的规模化应用；在工业与电网领域，天岳先进P型8英寸衬底向智能电网等更高电压领域突破，助力高端特高压功率器件国产化，天科合达8英寸衬底则与英飞凌等国际企业建立长期合作，为轨道交通、工业控制等场景提供稳定的工业级器件材料支持。消费电子领域中，AR眼镜成为8英寸SiC衬底的全新增长赛道。天科合达针对性推出8英寸光波导型碳化硅衬底，解决传统AR眼镜视场角窄、彩虹纹、散热差等痛点，目前正与慕德微纳深度合作，加速AR衍射光波导镜片技术研发与市场推广；同光股份的8英寸光学高透射率衬底，在折射率、可见光吸收率、高平坦度等核心参数上领先业界，吸引众多SiC光学客户关注。据行业测算，100万副AR眼镜需30万片8英寸碳化硅晶圆，且8英寸衬底相比6英寸可大幅提升镜片出片率、降低单位成本，随着2027-2028年AR眼镜市场预计进入爆发式增长阶段，8英寸光学级衬底需求将持续快速扩大。另外，AI芯片的先进封装市场等领域也有望驱动SiC需求释放。发展趋势：产能集中、技术融合与场景多元产能层面，头部企业将持续主导扩产，行业集中度进一步提升。天岳先进上海临港基地、三安光电重庆基地等重点项目2025-2026年达产后，头部企业8英寸衬底总产能有望突破百万片/年，进一步巩固市场主导地位；同时，全球化供应链布局成为重要方向，晶盛机电马来西亚槟城基地、同光股份规划中的海外基地，将通过贴近国际汽车、半导体客户的生产布局，降低供应链风险，提升中国本土企业在全球8英寸SiC衬底市场的份额。技术层面，“更低缺陷、更优成本”成为核心迭代方向，衬底与外延一体化趋势明显。企业将继续优化晶体生长工艺，天岳先进“Z计划”、天科合达低电阻衬底良率提升等技术攻关，将进一步降低8英寸衬底位错密度、提升有效厚度；天科合达、三安光电等企业布局的“衬底-外延”全链条模式，已实现8英寸外延产品批量供应头部客户，该模式可显著提升良率、降低中间成本，成为行业技术发展的重要路径；此外，液相法与PVT法的工艺融合也将加速，推动8英寸衬底性能与成本平衡再上新台阶。应用层面，汽车与AR领域将形成双轮驱动，场景多元化拓展持续。汽车领域中，随着800V电驱系统在新能源汽车中的渗透率提升，8英寸衬底需求将保持高速增长，企业将针对车载场景进一步优化产品可靠性与成本，适配车企降本需求；AR领域则凭借爆发式增长潜力，成为8英寸衬底的关键增量市场；同时，天科合达、晶盛机电等企业还在探索8英寸衬底在先进封装热沉领域的应用，进一步拓宽消费电子与高端制造场景覆盖，推动8英寸产品应用从单一领域向多领域协同发展转变。12英寸前景：技术成果初显，产业化瓶颈亟待突破国内企业在拓宽8英寸碳化硅衬底产能与应用之时，也在积极布局12英寸衬底技术。目前国内至少已有天岳先进、烁科晶体、天科合达、南砂晶圆、晶盛机电、合盛硅业、晶越半导体、天成半导体、科友半导体、同光股份（12英寸晶锭仍在持续研发中）等10家企业成功研制12英寸SiC衬底，技术优势初步显现。从成本与效率来看，12英寸衬底可大幅扩大单片晶圆芯片制造面积，天岳先进数据显示其能显著提升合格芯片产量，合盛硅业测算12英寸晶圆切割芯片数量比6英寸提高近4倍，科友半导体则指出12英寸技术升级可降低单位成本40%，为SiC衬底规模化应用奠定成本基础；从性能适配来看，天科合达推出的12英寸热沉级衬底，可满足AI、自动驾驶领域高性能芯片封装的散热需求，烁科晶体研发的12英寸高纯半绝缘型衬底，还能用于高端射频器件，适配更高功率、更高集成度的应用场景。不过，12英寸SiC衬底产业化仍面临两大核心挑战。技术成熟度方面，大尺寸晶体生长过程中存在热场分布不均、籽晶对位困难、厚度控制精度不足及晶体缺陷风险增大等问题，晶越半导体在研发中需通过系统性优化热场结构设计、籽晶粘接工艺参数等环节，才能解决晶体开裂难题，目前多数企业的12英寸产品仍处于实验室样品或中试阶段；产业链配套方面，12英寸器件制造设备、外延工艺、封装技术尚未完善，短期内市场需求难以快速消化产能，且企业需投入大量资源研发适配设备，如天成半导体正在推进第三代12英寸长晶炉研发，进一步增加了产业化难度。从前景预判来看，短期（2025-2028年）12英寸SiC衬底将以技术验证与小批量试产为主，优先应用于高端工业、先进封装、AR等细分场景，与8英寸衬底形成互补格局，此时8英寸衬底仍将是市场主流，满足汽车、风光储等大规模应用需求；长期（2028年后），随着技术成熟度提升与下游产业链配套完善，12英寸衬底将逐步向车规级、大规模储能等核心场景渗透，实现对8英寸衬底的部分替代，天岳先进、烁科晶体、晶盛机电等头部企业凭借技术与产能优势，将主导12英寸衬底产业化进程，推动中国SiC衬底行业逐步进入“大尺寸化”新阶段。部分企业12英寸SiC衬底突破情况（公开资料整理）总结与展望当前，中国8英寸SiC衬底产业已迈入规模化发展的关键期，三级产能梯队稳固成型，核心技术突破不断刷新性能上限，应用场景从汽车领域向AR、先进封装等多元场景延伸，头部企业的扩产与全球化布局更将进一步提升行业集中度与国际竞争力。12英寸衬底的技术探索同步推进，企业的研发成果凸显了大尺寸化的成本与效率优势，为产业升级提供了明确方向。诚然，12英寸产业化仍面临技术成熟度不足、产业链配套滞后等挑战，但短期8英寸主导、12英寸试产验证的格局，将实现产业平稳过渡。后续，随着工艺融合加速、产业链协同深化，中国SiC衬底产业将在“8英寸稳根基、12英寸谋突破”的路径中，持续强化技术自主与市场话语权，为本土半导体产业突围及全球碳化硅应用普及贡献核心力量。（校对/邓秋贤）\n\n\n海量资讯、精准解读，尽在新浪财经APP","kind":"news","is_publish_news":true,"is_publish_highlight":false,"is_publish_live":false,"is_publish_wemedia":null,"editions":null,"column":"","sentiment":"0","news_tag":"","news_rank":0,"symbols":[],"gpt_button":0,"need_auth":false,"code":"91000000","status":"200"},"commentList":[],"isCommentEnd":true,"newsSizeData":{"likeSize":0,"commentSize":0,"repostSize":0,"favoriteSize":0,"likeStatus":false,"favoriteStatus":false},"APP":{"userAgent":"Mozilla/5.0 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