三星拟通过针对12层HBM3E推出30%降价抢占市场

半导体芯情2025-10-29

HBM作为高容量存储的代表，如今的市场玩家就几家，但是竞争已经是白热化了！据韩媒透露，存储龙头三星电子或针对12层HBM3E推出30%的降价策略，以试图抢占市场。SK 海力士、美光科技和三星电子正在展开激烈竞争，以争夺 HBM4 市场的主导地位，该市场价值估计为 1000 亿美元（141 万亿韩元）。根据研究公司 Counterpoint Research 的最新报告，SK 海力士在第二季度的 ...

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市场的主导地位，该市场价值估计为 1000 亿美元（141 万亿韩元）。根据研究公司 Counterpoint Research 的最新报告，SK 海力士在第二季度的 HBM 出货量方面领先，占有 62% 的份额，其次是美光科技公司 (21%) 和三星电子 (17%)。据了解，HBM3 于 2022 年 1 月推出，是最新一代的高带宽内存 （High Bandwidth Memory，HBM），是一种高性能 2.5D/3D 内存架构。与所有以前的版本一样，HBM3 使用宽数据路径（1024 位）。HBM3 以 6.4 Gb/s 的速度运行，可提供 819 Gb /s 的带宽，HBM3E 提供 9.6 Gb/s 的扩展数据速率（extended）和相同的功能特性集合。凭借其出色的带宽、高容量和紧凑的空间占用，它已成为 AI 工作负载的首选内存解决方案。HBM3 还引入了电源、内存访问和可靠性、可用性、可维护性 （RAS）的增强功能。电源：HBM3E/3 将内核电压从 HBM2E 的 1.2V 降低到 1.1V，HBM3 将 IO 信号从 HBM2E 中使用的 1.2V 降低到 400mV。较低的电压意味着较低的功耗。这些变化有助于抵消向更高数据速率迁移所增加的高功耗。通道架构：HBM3E/3 将 1024 位宽的数据通道划分为 16 个 64 位通道或 32 个 32 位伪通道。这使得 HBM2E 的 8 个 128 位通道和 16 个 64 位伪通道的内存通道数量增加了一倍，并提高了性能。可靠性、可用性、可维护性 （RAS）：HBM3E/3 引入了额外的主机端和设备端 ECC，并支持刷新管理 （RFM） 和自适应刷新管理 （ARFM）。HBM3 代表了 HBM 标准的第三代。每一代产品，我们都看到数据速率、3D堆栈高度和DRAM芯片密度呈上升趋势。这意味着每次升级规范时都会有更高的带宽和更大的设备容量。HBM 以 1 Gb/s 的数据速率推出，最多16 Gb 的 8-high 3D 堆栈。借助 HBM3，数据速率可扩展到 6.4 Gb/s，并且设备可以支持32 Gb 的16-high 3D堆栈。主要的 DRAM 制造商推出了 HBM3E 器件，将数据速率提高到 9.6 Gb/s。与更高密度的 HBM 器件并行，芯片架构师正在推动其 AI 加速器和 GPU 设计中的更高连接率。具有 6 个 HBM3 器件的设计。据介绍，HBM 以紧凑、高容量的尺寸提供无与伦比的内存带宽，使 HBM 成为 AI/ML 和其他高性能计算工作负载的首选内存。HBM3 作为最新一代标准，将数据速率提高到 6.4 Gb/s，并有望进一步扩展。Rambus HBM3E/3 控制器内核为 HBM3 的扩展路线图提供业界领先的支持，性能高达 9.6 Gb/s。半导体芯情了解到，借助该解决方案，设计人员可以为每个连接的 HBM3E/3 存储设备实现高达 1.23 TB/s 的吞吐量。三星HBM发展迅速，大有抢占海力士第一位置的趋势。据知情人士称，美国科技巨头英伟达将向三星电子、SK集团等韩国企业提供人工智能（AI）芯片。本周，英伟达CEO黄仁勋将出席在韩国庆州举行的亚太经合组织 CEO峰会，这是一个与年度APEC领导人峰会同时举行的以商业为中心的聚会。据消息人士透露，英伟达将与三星电子、SK集团、现代汽车集团、Naver等4家公司签订供货协议，并将于周五公布。黄仁勋将于周四在首尔会见现代汽车集团总裁郑义宣和三星电子会长李在镕，SK集团会长崔泰源也有可能参加。此前黄仁勋在美国接受采访时表示，他希望在本周访问韩国时，与韩国合作伙伴一起宣布一些令人“非常非常高兴的”消息。此前，有消息称，英伟达已基本确认旗下最新 AI 加速芯片 GB300 将采用三星的第五代高带宽 HBM3E 技术，意味着三星在历经多次波折后，终于能进入英伟达供应链。消息人士透露，英伟达 CEO 近日已向三星电子会长李在镕发送正式信函，确认 GB300 芯片将搭载三星的 12 层堆叠 HBM3E 技术目前双方正在就供应数量、价格及时间表进行最终协商。美光科技已是英伟达HBM解决方案(包括HBM3E)的关键供应商。其股价在周四午后交易中下跌3%。SK海力士是英伟达另一家重要存储芯片供应商。据悉，三星为其HBM3E芯片获得英伟达认证已努力超过一年。目前 AI 硬件业界已经逐步转向第六代 HBM4 芯片，因此此次三星供应的 HBM3E 芯片数量不会太多，但也具备里程碑式意义，有望加快 HBM4 的量产认证速度。下一代HBM4即将到来，而主要竞争对手SK海力士已经占据了先发优势，预计供应初始阶段仍然能保持其最大供应商的位置。三星也有自己的优势，早在2024年就决定将基础裸片的制造工艺升级到4nm，预计最高速度可达到10Gb/s，高于竞争对手SK海力士和美光提供的JEDEC标准产品。另外三星拥有自己的逻辑芯片生产线，并不需要像SK海力士和美光那样选择台积电代工，定价方面会更具竞争力。近期，三星首次向公众展示了其 HBM4 内存模块，这表明这家韩国巨头确实为即将到来的 HBM 竞争做好了准备。虽然目前市场以第五代 HBM3E 芯片为主，但业内观察人士预计 HBM4 将成为明年的主要因素，因为 NVIDIA 计划在其下一代 AI 加速器 Rubin 中使用它。SK海力士目前是HBM3E的主要供应商，与Nvidia和台积电组成了三方供应链，目前已完成HBM4的开发，并正在准备量产。据报道，该公司正在与Nvidia洽谈大规模供应事宜。对于长期占据内存市场主导地位但最近在 HBM 领域失利的三星电子而言，新的 HBM4 系列被视为重新获得竞争优势的潜在游戏规则改变者。在今年3月份的股东大会上，三星电子半导体部门负责人全永铉誓言要按计划推进HBM4产品的研发和量产，以避免重蹈公司此前在HBM3E市场遭遇的覆辙。HBM4 是当今市场上最“尊贵”的计算必需品之一，主要是因为该内存模块将负责提升 AI 性能。三星、SK 海力士和美光等韩国 HBM 制造商正全力以赴，向全球展示具有竞争力的 HBM4 解决方案，以确保其应用。在主流 HBM 制造商中，三星是在该领域经历多年低迷后强势回归的企业之一。在 2025 年半导体展览会 (SEDEX) 上，三星向公众展示了其 HBM4 工艺。据报道，三星正在避免重蹈覆辙，避免在 DRAM 领域失去主导地位。为了确保不落后，这家韩国巨头正与竞争对手一起推进 HBM4 的量产。据《电子时报》报道，三星 HBM4 逻辑芯片的良率已达到惊人的 90%，这表明该公司的量产进度已步入正轨，更重要的是，目前预计不会出现延期。据报道，这家韩国巨头还在实施多项策略，以确保HBM4的早期普及，包括保持有竞争力的价格、提供更高的产能，更重要的是，为NVIDIA等客户提供更快的引脚速度（额定速度约为11 Gbps），高于SK海力士和美光的预期速度。目前，三星尚未获得NVIDIA的HBM4供应批准，但考虑到该技术取得的进展，这家韩国巨头无疑对此持乐观态度。","kind":"news","is_publish_news":true,"is_publish_highlight":false,"is_publish_live":false,"is_publish_wemedia":null,"editions":null,"column":"","sentiment":"-1","news_tag":"","news_rank":0,"symbols":[],"gpt_button":0,"need_auth":false,"code":"91000000","status":"200"},"commentList":[],"isCommentEnd":true,"newsSizeData":{"likeSize":0,"commentSize":0,"repostSize":0,"favoriteSize":0,"likeStatus":false,"favoriteStatus":false},"APP":{"userAgent":"Mozilla/5.0 AppleWebKit/537.36 (KHTML, like Gecko; compatible; ClaudeBot/1.0; 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