科学家攻克SOT-MRAM关键材料难题，为下一代高效存储芯片铺路

IT之家2025-10-14

IT之家 10 月 14 日消息，中国台湾阳明交通大学（NYCU）联合台积电、国立中兴大学（NCHU）、美国斯坦福大学等机构，成功攻克自旋轨道力矩磁阻式磁性存储器（SOT-MRAM）的核心材料难题。SOT-MRAM 被视为下一代非挥发性存储技术的重要方向。该研究由阳明交通大学助理教授黄彦霖主导，成果已于 9 月发表在《自然・电子学》上。黄彦霖团队成功开发出一种新方法，使 SOT-MRAM 关键材料...

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