士兰微、扬杰科技等披露SiC业务进展

行家说三代半2025-08-26

近日，多家碳化硅企业发布半年度报道，并披露了碳化硅业务最新进展，具体如下：士兰微：基于Ⅱ代SiC-MOSFET芯片的主驱模块累计出货2万颗，预计8吋产线年末通线；扬杰科技：SiC MOS市场份额持续增加，芯片&模块产线均实现投产；赛晶科技：自研1200V/13mΩSiC芯片，收购湖南虹安实现SiC业务互补；新洁能：SiC MOSFET实现批量供货，预计年末推出车规级产品。士兰微：预计8吋SiC产线...

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MOSFET实现批量供货，预计年末推出车规级产品。士兰微：预计8吋SiC产线年末通线8月23日，士兰微公布2025年半年度报告，其中透露：上半年公司营业总收入约为 63.36亿元，比2024年同期增长20.14%，实现归属于母公司股东的净利润为2.65亿元，相比2024 年同期实现扭亏为盈。除了在业绩上取得增长外，士兰微的碳化硅业务也获得多个突破：上半年士兰微功率半导体和分立器件产品的营业收入达到30.08亿元，较去年同期增长约 25%。其中，应用于汽车、光伏的IGBT和SiC（模块、器件）的营业收入较去年同期增长80%以上。2025年上半年，基于士兰微自主研发的Ⅱ代SiC-MOSFET芯片生产的电动汽车主电机驱动模块出货量累计达2万颗，客户端反映良好，客户数量已持续增加。士兰微第Ⅳ代SiC芯片与模块已送客户评测，基于第Ⅳ代SiC芯片的功率模块2025年下半年将会上量。截至目前，士兰明镓已形成月产1万片6吋SiC-MOSFET芯片的生产能力，预计下半年6吋SiC芯片出货量将较快上升。2025年上半年，士兰微加快推进“士兰集宏 8 英寸 SiC 功率器件芯片生产线”项目的建设。6月底，士兰集宏已实现首台工艺设备搬入，预计今年四季度将实现8吋SiC大线通线。扬杰科技：SiC芯片&模块项目均已投产8月20日，扬杰科技发布了2025 年半年度报告。2025年上半年，扬杰科技营业收入约为34.55亿元，同比增长20.58%，归属于上市公司股东的净利润约为6.01亿元，同比增长41.55%。在碳化硅业务方面，扬杰科技主要透露了SiC MOS及模块业务的进展：报告期内， MOSFET、IGBT、SiC 等产品整体订单和出货量较去年同期快速提升，上半年度营收同比增长20.58%。报告期内SiC MOS市场份额持续增加，当前各类产品已广泛应用于 AI 服务器电源、新能源汽车、光伏、充电桩、储能、工业电源等领域。扬杰科技首条SiC芯片产线顺利实现量产爬坡，首条SiC车规级功率半导体模块封装项目建成并投产。其中，SiC芯片工厂已升级到第三代SiC MOS平台，比导通电阻（RSP）已做到 3.33mΩ.cm²以下，FOM 值达到 3060mΩ.nC 以下。车载模块方面，IGBT模块/SiC模块目前在多家汽车客户完成送样，并且已经获得多家 Tier1 和终端车企的测试及合作意向。赛晶科技：将收购湖南虹安8月25日，赛晶科技举行了2025年中期业绩线上发布会，就上半年财务及经营表现进行了全面解读。报告期内，赛晶科技入8.88亿元，同比增长35.5%，归母净利润9377万元人民币，较2024年同期增长178%；针对碳化硅业务，赛晶科技透露：在SiC芯片方面，其自研SiC芯片已经到达国际领先水平的1200V/13mΩ，HEEV封装、EVD封装模块，参数低至2mΩ至4mΩ，保持领先地位。此外，今年7月赛晶科技还宣布收购湖南虹安，由旗下赛晶半导体增加注册资本420.6136万美元，投资者将以其在湖南虹安的100%股权出资认购，合计占赛晶半导体经扩大后股权的9%。赛晶科技表示，此次增资换股，赛晶半导体可以系统性整合双方资源，从而实现协同效应。诸如湖南虹安的核心团队将会有力地补充赛晶半导体的技术团队，并且其在碳化硅技术上将与赛晶半导体现有的技术研发与产品布局形成高度互补。新洁能：SiC MOSFET已批量供货8月20日，新洁能亦公布了2025年半年度报告。报告期内，新洁能共实现营业收入约9.3亿元，较去年同期增长了6.44%；归属于上市公司股东的净利润约2.35亿元，较去年同期增长了8.03%。新洁能的主营业务聚焦MOSFET、IGBT 等半导体芯片、功率器件和功率模块，在碳化硅功率半导体领域的最新进展为：新洁能重点布局800V高压平台及48V车载系统，车规级SiC MOSFET产品预计将于2025年第四季度实现量产。第2代SiC MOSFET平台实现批量供货，主要用于光伏储能、新能源汽车充电桩、汽车OBC、工业可靠性设备、工业电源、工业自动化、家用电器等领域。第2.5代SiC MOSFET产品完成开发，通过多家头部客户测试，处于小批量供货阶段。第3代SiC MOSFET产品平台完成工艺流程设计，相关产品处于开发阶段。新洁能规划有和传统硅基IGBT/超结 MOSFET驱动完全兼容的SiC产品，相关产品已完成工艺设计、产品设计，处于工程流片阶段。截至本报告期末，募投项目“第三代半导体SiC/GaN功率器件及封测的研发及产业化”、“SiC/IGBT/MOSFET等功率集成模块（含车规级）的研发及产业化”等项目仍在建设中，预定可使用状态日期延期至2027年8月。插播：天科合达、天岳先进、同光半导体、烁科晶体、泰坦未来、浙江晶瑞、芯聚能、三安半导体、安海半导体、华卓精科、快克芯装备、合盛新材料、京航特碳、恒普技术、奥亿达新材料、创锐光谱、西湖仪器、北方华创、科友半导体、九域半导体、国扬电子、凌锐半导体、中电化合物、昕感科技、羿变电气、东尼电子、西格玛、铭扬半导体、瑞霏光电、力冠微、格力电子、芯研科等已确认参编《2025碳化硅衬底与外延产业调研白皮书》及《2025碳化硅器件与模块产业调研白皮》，参编咨询请联系许若冰（hangjiashuo999）。本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。其他人都在看：又一国产SiC MOS获得头部车企项目定点天岳先进新动作！SiC布局再下一子又一头部厂商实现沟槽栅SiC上车","kind":"news","is_publish_news":true,"is_publish_highlight":false,"is_publish_live":false,"is_publish_wemedia":null,"editions":null,"column":"","sentiment":"0","news_tag":"","news_rank":0,"symbols":[],"gpt_button":1,"need_auth":false,"code":"91000000","status":"200"},"commentList":[],"isCommentEnd":true,"newsSizeData":{"likeSize":0,"commentSize":0,"repostSize":0,"favoriteSize":0,"likeStatus":false,"favoriteStatus":false},"APP":{"userAgent":"Mozilla/5.0 AppleWebKit/537.36 (KHTML, like Gecko; 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