中芯国际申请测试结构及其形成方法、测试方法专利，提高在测试结构中对测试结果进行定位的效率

金融界2025-07-19

金融界2025年7月19日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“测试结构及其形成方法、测试方法”的专利，公开号CN120341214A，申请日期为2024年01月。专利摘要显示，一种测试结构及其形成方法、测试方法，结构包括：基底，包括多个测试单元；相隔离的第一互连线和第二互连线，位于测试单元的基底上；第一引线，位于测试单元中第一互连线上方、并与第一互连线电...

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