存储业格局生变，三星地位遭挑战

市场资讯07-11

炒股就看金麒麟分析师研报，权威，专业，及时，全面，助您挖掘潜力主题机会！ 2025.07.11本文字数：2465，阅读时长大约4分钟作者 |第一财经郑栩彤最近存储业内发生了两件备受关注的事：DDR4（第四代双倍数据率同步DRAM）价格涨至高位，三星电子最新季度营业利润下滑。两个看似相互独立的事件，隐含了同一个产业变革逻辑。变革的中心正是HBM（高带宽内存）。据闪存市场本周发布的数据，部分同等容量...

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郑栩彤最近存储业内发生了两件备受关注的事：DDR4（第四代双倍数据率同步DRAM）价格涨至高位，三星电子最新季度营业利润下滑。两个看似相互独立的事件，隐含了同一个产业变革逻辑。变革的中心正是HBM（高带宽内存）。据闪存市场本周发布的数据，部分同等容量...</p>\n\n<a href=\"https://finance.sina.com.cn/stock/t/2025-07-11/doc-inffcpfc0490414.shtml\">网页链接</a>\n\n</div>\n\n\n</article>\n</div>\n</body>\n</html>\n","isBrief":false,"type":0,"news_type":1,"symbol":"LU2471134523.USD","symbol_name":"INVESCO GLOBAL EQUITY INCOME ADVANTAGE \"A\" (USD) 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郑栩彤最近存储业内发生了两件备受关注的事：DDR4（第四代双倍数据率同步DRAM）价格涨至高位，三星电子最新季度营业利润下滑。两个看似相互独立的事件，隐含了同一个产业变革逻辑。变革的中心正是HBM（高带宽内存）。据闪存市场本周发布的数据，部分同等容量的DDR4和下一代的DDR5内存条价格几近倒挂。业内普遍认为，DDR4遭遇减产、涨价背后，是随着HBM成为存储领域竞争焦点，原厂产能逐渐向HBM倾斜。而本周三星电子发布的最新季度业绩出现利润下滑，背后则有三星HBM进展慢于竞争对手、行业地位受到挑战的因素。HBM对存储格局的持续撼动下，进入下半年，原厂开始冲刺新一代HBM4研发生产，开启新一轮赛跑。还有其他变化开始发生。业内近期预计，HBM产品将从标准化产品向定制化产品演进，英伟达之外的更多AI芯片厂商则将消耗更多HBM。格局变化HBM可用于AI芯片。AI潮流下，市场对HBM需求的增长，推动存储格局变化。三星电子近日公布2025年第二季度初步业绩，该季度公司预计销售额74万亿韩元，同比下降0.09%，营业利润为4.6万亿韩元(约合33亿美元)，同比下降55.94%。这一营业利润表现是三星电子六个季度以来的最低水平。三星半导体业务相关负责人此前承认了HBM业务的落后，称错过早期市场机会，承诺将赶上HBM竞赛。凭借HBM的优势，竞争对手SK海力士行业地位则有所提升。记者从闪存市场拿到的数据显示，2024年第二季度起，美光、SK海力士在DRAM市场的份额持续增长，三星份额下降。SK海力士与三星的HBM市场份额原本几乎五五分，到今年第一季度，两家差距拉到两倍以上。市场研究机构Counterpoint最新发布的数据则显示，今年第一季度，SK海力士在DRAM领域夺得36%份额，DRAM营收份额首次超越三星电子。第二季度，SK海力士内存收入达到155亿美元，与三星并列全球内存市场第一。SK海力士在HBM市场的份额达70%。记者了解到，进入下半年，HBM还在继续带动行业调整。美光等原厂进入DDR4停产进程，更多产能向HBM聚集。同时，三大原厂一手推动HBM3e应用，一手冲刺HBM4。集邦咨询分析师许家源告诉记者，目前SK海力士和美光的HBM3e 12hi产品认证已大体完成，将供应英伟达B300、GB300，良率也提高到60%以上。三星则在做改版HBM3e认证送样，预计今年第三季度完成认证并量产。近期关于HBM4的消息越来越多。此前SK海力士宣布向英伟达等主要客户交付12层HBM4样品后，美光6月宣布，已向多家主要客户送样其12层堆叠36GB HBM4内存。SK海力士计划今年下半年完成HBM4量产准备工作，美光则计划2026年量产HBM4。业内预计三星的步伐还是较慢。有分析人士称，三星1c nm（一种制程）DDR5还未商业化量产，预计明年上半年要量产更高阶的1c nm HBM4并按时推向市场，存在不确定性。此外，国内存储厂商长鑫存储尚未公开HBM相关的进展。有业内人士向记者分析，国内厂商在HBM领域处于早期技术开发阶段，这类项目应到产品要面世的阶段才会对外公开。定制化号角吹响由于AI需求坚挺，HBM市场需求在一定程度上有确定性。当地时间7月10日，AI芯片英伟达成为史上首家收盘市值达4万亿美元的公司。英伟达CEO黄仁勋在世界各地呼吁建设 “AI工厂”的同时，多名存储业界人士也向记者表达了对今年数据中心需求的看好。英伟达最先进的AI芯片与HBM一起封装。为提供更高的传输带宽，HBM由多片DRR（DDR SDRAM）芯片堆叠而成。在封装环节，通常由台积电将HBM与先进的AI芯片一起封装。然而，向上堆叠带来诸多技术调整，例如堆叠层连接、扩展。记者了解到，这些挑战让未来的行业竞争具有不确定性。HBM4 2026年面世后，业内预计HBM4e2027年面世、HBM5 2030年前后面世。许家源告诉记者，相较其他DRAM产品，HBM技术路线面临的挑战更多，涉及前端制程节点演进和后端制程工艺演进。具体而言，在前端，HBM需要在每片晶圆上打TSV（硅通孔），架构复杂，未来的新架构引入能否成功存在变数。在后端，从HMB4到HBM5，堆叠层数朝20层发展，原厂工艺将由MR-MUF（回流模塑填充）、TC-NCF（非导电胶膜）过渡到HCB（混合键合）。除了技术变化，市场需求方也在发生变化。一方面，英伟达之外的AI芯片厂商也在搭载HBM，另一方面，随着需求方在增多，HBM踏上定制化的道路。“2024年英伟达占有61%HBM消耗量。2026年、2027年英伟达的消耗量比例可能减少。”许家源告诉记者，原因是ASIC（专用集成电路）供应商增多，搭配的HBM颗数也增多。据了解，今年谷歌推出的第七代TPU Ironwood就配备了192GB大内存HBM。ASIC芯片在应用量上也在挑战英伟达。有数据中心负责人告诉记者，随着AI计算需求转向推理，成本和功耗更低的一些ASIC芯片也在进入数据中心。许家源表示，定制化的好处是，将一些GPU电路放到HBM那片采用逻辑制程制造的芯片上，可减少HBM和GPU的沟通数据量，预计2027年将有大客户采用客制化方案。Counterpoint相关报告则称，当前包括英伟达、亚马逊、微软、博通和美满电子在内，已有七到八家IT厂商在推动HBM定制，预计到2026年HBM4亮相时，定制HBM市场将大幅扩张。记者从三星电子了解到，公司已在布局定制化HBM，支持客户IP集成。美光则展望，HBM4e将体现存储器业务范式转变，该产品将能为一些客户定制，定制业务预计推动公司业绩改善。ASIC定制厂商美满电子则与美光、三星和SK海力士合作，为下一代XPU定制HBM方案。“定制是芯片行业最大的趋势之一，到2028年，加速基础设施计算芯片市场将有25%的份额属于定制芯片。”该公司在官网一篇博客中表示。微信编辑| 苏小（转自：网易科技）\n\n\n海量资讯、精准解读，尽在新浪财经APP","kind":"news","is_publish_news":true,"is_publish_highlight":false,"is_publish_live":false,"is_publish_wemedia":null,"editions":null,"column":"","sentiment":"-1","news_tag":"","news_rank":0,"symbols":[],"gpt_button":0,"need_auth":false,"code":"91000000","status":"200"},"commentList":[],"isCommentEnd":true,"newsSizeData":{"likeSize":0,"commentSize":0,"repostSize":0,"favoriteSize":0,"likeStatus":false,"favoriteStatus":false},"APP":{"userAgent":"Mozilla/5.0 AppleWebKit/537.36 (KHTML, like Gecko; compatible; ClaudeBot/1.0; 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