IBM申请高密度静态随机存取存储器专利，一种半导体存储单元包括在芯片上的六个垂直传输场效应晶体管

金融界2025年7月5日消息，国家知识产权局信息显示，国际商业机器公司申请一项名为“高密度静态随机存取存储器”的专利，公开号CN120266590A，申请日期为2023年11月。专利摘要显示，一种半导体存储单元，包括在芯片上的六个垂直传输场效应晶体管(VTFET)。该六个VTFET在第一层中。该六个VTFET在第一行中。