三星搅动芯片江湖

半导体行业观察2025-07-02

公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。过去几年，三星因为在HBM上的碰壁，晶圆代工的落后，导致公司在半导体业务上屡屡受阻。公司业绩也在这种情况下屡屡受挫，甚至在DRAM上的多年领先，也被同城的竞争对手SK海力士反超，晶圆代工方面也被台积电越拉越远，甚至连micron也通过在HBM上的豪赌，给他们带来了极大的压力。但作为一家拥有雄厚资本的玩家，三星正在做出一系列调整，似乎正在给芯片行业带来新...

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Foundry）应对当前因开工率下降而出现亏损局面的举措。据估计，仅去年一年，由于主要客户退出先进制程导致开工率下降，三星晶圆代工就出现了4万亿韩元的亏损。因此，2㎚（SF2）制程将按原计划于今年进行量产，但此后技术路线图已进行修改。到2028年，三星计划将专注于稳定2㎚制程，例如SF2P（第二代）和SF2X（第三代）。此外，该公司计划通过提高4、5和8纳米工艺的运营率来确保盈利能力，这些工艺的技术已经相对稳定。为此，据报道，该公司已要求合作伙伴专注于开发设计资产（IP），以提高工艺完善度并吸引客户。采用该工艺的Telechips和Rebellion也于当天宣布了与三星代工厂的合作案例。三星代工厂一直在与台积电争夺先进工艺“全球第一”的头衔。该公司还取得了一些成果，例如在2016年实现了10纳米工艺的量产，并在2022年实现了3纳米工艺的量产，领先于台积电。然而，该公司在工艺完善度方面被评价为落后。一位业内人士表示：“三星代工厂在工艺竞争力方面不如台积电”，并且“调整1.4纳米工艺的进度计划，是一种专注于提升实际代工业务而非争夺全球第一的策略。”搅动HBM江湖三星电子DS部门负责人（副董事长）全永铉最近访问了Nvidia总部，讨论为GB300 Blackwell Ultra供应高带宽内存（HBM）3E 12层。据《首尔经济日报》报道，Jun上周访问了硅谷，与英伟达就HBM3E 12层芯片的供应进行谈判。此次访问距离他五月初的上次访问不到两个月。虽然尚未确认英伟达首席执行官黄仁勋是否出席了此次会谈，但据报道，双方就HBM3E 12层芯片的质量认证和明年的供应可能性进行了具体讨论。一位知情人士透露：“三星强调，其基于第四代10纳米级DRAM（1a）的HBM3E 12层存储器的质量并不逊色于竞争对手，并讨论了Blackwell Ultra的供货可能性，Blackwell Ultra将于明年量产。” 该消息人士补充道：“三星电子内部期待着积极的成果，因为其质量在数值上并不逊色，而且他们已经与包括AMD在内的其他公司达成了供货协议。”近日，三星电子正式宣布为AMD的AI加速器MI350X系列供应HBM3E 12层显存。随着MI350X系列表现出超出预期的性能，市场对AMD性能的期待值不断提升，而对三星电子HBM3E 12层的疑虑也逐渐消散。因此，三星电子越来越相信英伟达的质量认证只是时间问题，并且其性能不会出现任何缺陷。此举被解读为强调了明年量产的可能性。Nvidia 计划于今年年底开始出货已投产的 Blackwell Ultra。Blackwell Ultra 预计将于明年成为 Nvidia 的主力人工智能 (AI) 加速器，其 HBM3E 12 层显存的初始供货合同已与 SK Hynix 和 Micron 敲定。预计 Blackwell Ultra 不仅明年需求将持续增长，后年也同样如此。这是因为下一代 Vera Rubin 的初始产量极有可能非常有限。事实上，Blackwell 的前身 H100 Hopper 迄今为止销量依然稳定。最终，长期供应比例，而非仅仅是初始产量，对 HBM 的最终销量至关重要。据报道，英伟达正在推迟2026年的最终合同。这也是为什么今年正式宣布HBM售罄的SK海力士和美光科技不愿透露明年的售罄情况。半导体行业分析称，三星电子的存在是英伟达态度冷淡的原因。在HBM供应持续短缺的背景下，如果三星电子成为HBM3E 12层存储器的第三大供应商，英伟达将在与SK海力士和美光科技的价格谈判中获得优势。一位业内人士表示，“据悉，SK海力士为Nvidia提供的12层HBM3E平均售价（ASP）比8层版本高出约60%”，并补充道，“从Nvidia的角度来看，如果三星电子的HBM质量令人满意，就没有理由不获得供应，因为这会在供应商之间引发价格竞争。”据报道，出于同样的原因，Nvidia 正在推迟 HBM4 的采用计划。该技术将用于 Vera Rubin，预计明年年底出货。SK 海力士已于 3 月交付 HBM4 样品，美光公司于 6 月交付，而三星电子计划于 7 月或 8 月交付样品。Nvidia 正在推迟做出决定，直至收到三星电子的样品。三星电子正全力提升 HBM4 的质量。SK 海力士和美光的 HBM4 基于第五代 10nm 级 DRAM（1b），而三星电子则押注于第六代（1c）技术。据报道，全永铉在与英伟达的此次会谈中也表达了对三星电子 HBM4 性能的信心。业界评价，自全永铉上任以来，三星电子的内存竞争力正在迅速恢复。自上任以来，他一直致力于恢复DRAM的根本竞争力，包括改进HBM3E基座和核心芯片。在今年3月举行的股东大会上，他就HBM3E强调：“我们正在努力提升产品竞争力，HBM3E 12层存储器最早在第二季度，最迟在下半年就能在市场上占据主导地位。”*免责声明：本文由作者原创。文章内容系作者个人观点，半导体行业观察转载仅为了传达一种不同的观点，不代表半导体行业观察对该观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系半导体行业观察。","kind":"news","is_publish_news":true,"is_publish_highlight":false,"is_publish_live":false,"is_publish_wemedia":null,"editions":null,"column":"","sentiment":"0","news_tag":"","news_rank":0,"symbols":[],"gpt_button":0,"need_auth":false,"code":"91000000","status":"200"},"commentList":[],"isCommentEnd":true,"newsSizeData":{"likeSize":0,"commentSize":0,"repostSize":0,"favoriteSize":0,"likeStatus":false,"favoriteStatus":false},"APP":{"userAgent":"Mozilla/5.0 AppleWebKit/537.36 (KHTML, like Gecko; compatible; ClaudeBot/1.0; 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