碳化硅具有耐高温、高压等优势,渗透率提升空间大。随着应用场景提出更高的要求,以碳化硅、氮化镓等为代表的第三代半导体材料发展迅速。与第一代半导体材料硅相比,碳化硅具备更高的击穿电场强度、饱和电子漂移速率、热导性和热稳定性,更适合在高压、高频、高功率等领域中应用,并且能实现器件小型化、轻量化。根据Yole数据,2024年SiC材料渗透率从2020年4%提升到15%。海外大厂发生较多变动,SiC竞争格局...
网页链接碳化硅具有耐高温、高压等优势,渗透率提升空间大。随着应用场景提出更高的要求,以碳化硅、氮化镓等为代表的第三代半导体材料发展迅速。与第一代半导体材料硅相比,碳化硅具备更高的击穿电场强度、饱和电子漂移速率、热导性和热稳定性,更适合在高压、高频、高功率等领域中应用,并且能实现器件小型化、轻量化。根据Yole数据,2024年SiC材料渗透率从2020年4%提升到15%。海外大厂发生较多变动,SiC竞争格局...
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