证券之星消息,根据天眼查APP数据显示晶合集成(688249)新获得一项发明专利授权,专利名为“一种半导体器件的制造方法及半导体器件”,专利申请号为CN202510272617.7,授权日为2025年6月24日。专利摘要:本发明提供了一种半导体器件的制造方法及半导体器件,通过蚀刻部分第二层间介质层和部分第一层间介质层,形成第一类沟槽于栅极结构的侧方,同时蚀刻部分第一层间介质层,形成第二类沟槽于栅极...
网页链接证券之星消息,根据天眼查APP数据显示晶合集成(688249)新获得一项发明专利授权,专利名为“一种半导体器件的制造方法及半导体器件”,专利申请号为CN202510272617.7,授权日为2025年6月24日。专利摘要:本发明提供了一种半导体器件的制造方法及半导体器件,通过蚀刻部分第二层间介质层和部分第一层间介质层,形成第一类沟槽于栅极结构的侧方,同时蚀刻部分第一层间介质层,形成第二类沟槽于栅极...
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