华虹半导体申请闪存器件制造方法专利，避免前层带来的刻蚀不均匀性的影响

金融界2025-06-14

金融界2025年6月14日消息，国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“闪存器件的制造方法”的专利，公开号CN120152287A，申请日期为2025年03月。专利摘要显示，本发明提供一种闪存器件的制造方法，提供衬底，衬底包含存储区、载带区和外围逻辑区，在存储区和外围逻辑区上形成叠层结构，叠层结构由自下而上依次堆叠的耦合层、浮栅多晶硅层、极间介质层、控制栅多晶硅层组成；在...

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