SK 海力士:4F2 VG 和 3D DRAM 技术将应用于 10nm 及以下级内存

市场资讯2025-06-10

炒股就看金麒麟分析师研报,权威,专业,及时,全面,助您挖掘潜力主题机会! IT之家 6 月 10 日消息,2025 年 IEEE VLSI 研讨会正于日本东京举行。SK 海力士在会议上提出了未来 30 年的新 DRAM 技术路线图和可持续创新方向。SK 海力士首席技术官 Cha Seon Yong 在会议发言中表示,延续现有技术平台进一步提升 DRAM 性能与容量的难度正与日俱增,该企业计划将 ...

网页链接
免责声明:本文观点仅代表作者个人观点,不构成本平台的投资建议,本平台不对文章信息准确性、完整性和及时性做出任何保证,亦不对因使用或信赖文章信息引发的任何损失承担责任。

精彩评论

我们需要你的真知灼见来填补这片空白
发表看法