近日, 英诺赛科在慕尼黑上海电子展(Electronica China)和武汉九峰山论坛暨化合物半导体产业博览会(CSE)上展出的氮化镓产品及解决方案,引发行业高度关注。其中在数据中心领域,英诺赛科重点展示了双面散热 En-FCLGA 封装 100V GaN、全球首款100V 双向器件(VGaN)、大功率合封氮化镓 ISG6121TD、2kW四相交错Buck、4.2kW服务器电源方案以及在数据中心...
网页链接近日, 英诺赛科在慕尼黑上海电子展(Electronica China)和武汉九峰山论坛暨化合物半导体产业博览会(CSE)上展出的氮化镓产品及解决方案,引发行业高度关注。其中在数据中心领域,英诺赛科重点展示了双面散热 En-FCLGA 封装 100V GaN、全球首款100V 双向器件(VGaN)、大功率合封氮化镓 ISG6121TD、2kW四相交错Buck、4.2kW服务器电源方案以及在数据中心...
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