为赶超SK海力士，三星计划三年内量产V-DRAM

芯智讯2025-04-29

4月28日消息，据韩国媒体 sedaily 报导，三星电子已确定将在三年内量产被称为次世代内存的“垂直信道晶体管（VCT）DRAM”的蓝图。外界解读，三星有意比竞争对手SK海力士更早一个世代成功量产，以挽回“超级差距”的地位。VCT DRAM是指将内存单元中控制电流流动的晶体管垂直排列的产品。与传统平面方式相比，可以排列更多晶体管，实现更高容量，因此被视为潜力巨大的“游戏规则改变者”。然而，这种...

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