三星电子计划在1d nm传统结构内存后导入VCT DRAM技术

爱集微2025-04-28

据最新消息，三星电子已经制定了在第7代10nm级DRAM内存工艺1d nm后导入VCT垂直通道晶体管技术的路线图。有望在未来2到3年内，相关产品将面世。在这个过程中，三星电子曾经在1d nm后的下一代DRAM工艺中，考虑过1e nm和VCT DRAM两种选择，最终选择了后者。在选择新的DRAM工艺方向上，三星电子进行了深入的研究和对比。在1e nm和VCT DRAM两种选择中，三星电子最终选择了...

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