邑文微电子申请一种硅基材料RTO过程中漏氧程度的量测方法及其应用专利，能够准确量测硅基材料在RTO过程中的漏氧程度

金融界2025-01-31

金融界2025年1月31日消息，国家知识产权局信息显示，无锡邑文微电子科技股份有限公司申请一项名为“一种硅基材料RTO过程中漏氧程度的量测方法及其应用”的专利，公开号CN 119381279 A，申请日期为2024年10月。专利摘要显示，本发明提供一种硅基材料RTO过程中漏氧程度的量测方法及其应用，属于半导体技术领域。所述量测方法包括以下步骤：将硅基材料置于热处理装置中，然后设定所述热处理装置的...

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