ASML High-NA EUV光刻机取得重大突破：成功印刷10纳米线宽图案

IT之家04-18

IT之家 4 月 18 日消息，荷兰阿斯麦 (ASML) 公司宣布，其首台采用 0.55 数值孔径 (NA) 投影光学系统的高数值孔径 (High-NA) 极紫外 (EUV) 光刻机已经成功印刷出首批图案，这标志着 ASML 公司以及整个高数值孔径 EUV 光刻技术领域的一项重大里程碑。ASML 公司在声明中表示：“我们位于埃因霍芬的高数值孔径 EUV 系统首次印刷出 10 纳米线宽（dense ...

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{"i18n":{"language":"zh_CN"},"isChannel":false,"data":{"share":"https://www.laohu8.com/m/news/2428609538?lang=zh_CN&edition=full","thumbnail":"","is_english":false,"pubTime":"2024-04-18 10:12","share_image_url":"https://static.laohu8.com/e9f99090a1c2ed51c021029395664489","id":"2428609538","market":"sh","top_or_hot":-1,"title":"ASML High-NA EUV光刻机取得重大突破：成功印刷10纳米线宽图案","media":"IT之家","content":"<div>\n<p>IT之家 4 月 18 日消息，荷兰阿斯麦 (ASML) 公司宣布，其首台采用 0.55 数值孔径 (NA) 投影光学系统的高数值孔径 (High-NA) 极紫外 (EUV) 光刻机已经成功印刷出首批图案，这标志着 ASML 公司以及整个高数值孔径 EUV 光刻技术领域的一项重大里程碑。ASML 公司在声明中表示：“我们位于埃因霍芬的高数值孔径 EUV 系统首次印刷出 10 纳米线宽（dense ...</p>\n\n<a href=\"https://tech.ifeng.com/c/8YsVxJth74t\">网页链接</a>\n\n</div>\n","source":"fenghuang_stock","html":"<!DOCTYPE html>\n<html>\n<head>\n<meta http-equiv=\"Content-Type\" content=\"text/html; charset=utf-8\" />\n<meta name=\"viewport\" content=\"width=device-width,initial-scale=1.0,minimum-scale=1.0,maximum-scale=1.0,user-scalable=no\"/>\n<meta name=\"format-detection\" content=\"telephone=no,email=no,address=no\" />\n<title>ASML High-NA EUV光刻机取得重大突破：成功印刷10纳米线宽图案</title>\n<style type=\"text/css\">\na,abbr,acronym,address,applet,article,aside,audio,b,big,blockquote,body,canvas,caption,center,cite,code,dd,del,details,dfn,div,dl,dt,\nem,embed,fieldset,figcaption,figure,footer,form,h1,h2,h3,h4,h5,h6,header,hgroup,html,i,iframe,img,ins,kbd,label,legend,li,mark,menu,nav,\nobject,ol,output,p,pre,q,ruby,s,samp,section,small,span,strike,strong,sub,summary,sup,table,tbody,td,tfoot,th,thead,time,tr,tt,u,ul,var,video{ font:inherit;margin:0;padding:0;vertical-align:baseline;border:0 }\nbody{ font-size:16px; line-height:1.5; color:#999; background:transparent; }\n.wrapper{ overflow:hidden;word-break:break-all;padding:10px; }\nh1,h2{ font-weight:normal; line-height:1.35; margin-bottom:.6em; }\nh3,h4,h5,h6{ line-height:1.35; margin-bottom:1em; }\nh1{ font-size:24px; }\nh2{ font-size:20px; }\nh3{ font-size:18px; }\nh4{ font-size:16px; }\nh5{ font-size:14px; }\nh6{ font-size:12px; }\np,ul,ol,blockquote,dl,table{ margin:1.2em 0; }\nul,ol{ margin-left:2em; }\nul{ list-style:disc; }\nol{ list-style:decimal; }\nli,li p{ margin:10px 0;}\nimg{ max-width:100%;display:block;margin:0 auto 1em; }\nblockquote{ color:#B5B2B1; border-left:3px solid #aaa; padding:1em; }\nstrong,b{font-weight:bold;}\nem,i{font-style:italic;}\ntable{ width:100%;border-collapse:collapse;border-spacing:1px;margin:1em 0;font-size:.9em; }\nth,td{ padding:5px;text-align:left;border:1px solid #aaa; }\nth{ font-weight:bold;background:#5d5d5d; }\n.symbol-link{font-weight:bold;}\n/* header{ border-bottom:1px solid #494756; } */\n.title{ margin:0 0 8px;line-height:1.3;color:#ddd; }\n.meta {color:#5e5c6d;font-size:13px;margin:0 0 .5em; }\na{text-decoration:none; color:#2a4b87;}\n.meta .head { display: inline-block; overflow: hidden}\n.head .h-thumb { width: 30px; height: 30px; margin: 0; padding: 0; border-radius: 50%; float: left;}\n.head .h-content { margin: 0; padding: 0 0 0 9px; float: left;}\n.head .h-name {font-size: 13px; color: #eee; margin: 0;}\n.head .h-time {font-size: 11px; color: #7E829C; margin: 0;line-height: 11px;}\n.small {font-size: 12.5px; display: inline-block; transform: scale(0.9); -webkit-transform: scale(0.9); transform-origin: left; -webkit-transform-origin: left;}\n.smaller {font-size: 12.5px; display: inline-block; transform: scale(0.8); -webkit-transform: scale(0.8); transform-origin: left; -webkit-transform-origin: left;}\n.bt-text {font-size: 12px;margin: 1.5em 0 0 0}\n.bt-text p {margin: 0}\n</style>\n</head>\n<body>\n<div class=\"wrapper\">\n<header>\n<h2 class=\"title\">\nASML High-NA EUV光刻机取得重大突破：成功印刷10纳米线宽图案\n</h2>\n\n<h4 class=\"meta\">\n\n\n2024-04-18 10:12 北京时间&nbsp;&nbsp;&nbsp;<a href=https://tech.ifeng.com/c/8YsVxJth74t><strong>IT之家</strong></a>\n\n\n</h4>\n\n</header>\n<article>\n<div>\n<p>IT之家 4 月 18 日消息，荷兰阿斯麦 (ASML) 公司宣布，其首台采用 0.55 数值孔径 (NA) 投影光学系统的高数值孔径 (High-NA) 极紫外 (EUV) 光刻机已经成功印刷出首批图案，这标志着 ASML 公司以及整个高数值孔径 EUV 光刻技术领域的一项重大里程碑。ASML 公司在声明中表示：“我们位于埃因霍芬的高数值孔径 EUV 系统首次印刷出 10 纳米线宽（dense ...</p>\n\n<a href=\"https://tech.ifeng.com/c/8YsVxJth74t\">网页链接</a>\n\n</div>\n\n\n</article>\n</div>\n</body>\n</html>\n","isBrief":false,"type":0,"news_type":1,"symbol":"BK4588","symbol_name":"碎股","start_time":0,"source_url":"https://tech.ifeng.com/c/8YsVxJth74t","article_id":"2428609538","we_media_id":null,"thumbnails":[],"rights":null,"url":"https://stock-news.laohu8.com/highlight/detail?id=2428609538","pubTimestamp":1713406364,"sourceInfo":{"source_id":"fenghuang_stock","name":"凤凰网"},"weMediaInfo":null,"summary":"IT之家 4 月 18 日消息，荷兰阿斯麦  公司宣布，其首台采用 0.55 数值孔径  投影光学系统的高数值孔径  极紫外  光刻机已经成功印刷出首批图案，这标志着 ASML 公司以及整个高数值孔径 EUV 光刻技术领域的一项重大里程碑。ASML 公司似乎是第一家宣布使用高数值孔径 EUV 光刻系统成功进行图案化的公司，这对于整个半导体行业来说都是一个重大突破。值得一提的是，ASML 公司的 Twinscan EXE:5000 型光刻机将仅用于其自身研发以及技术改进。","collect":0,"end_time":0,"defaultTopTitle":"ifeng.com","property":[],"viewcount":null,"language":"zh","relate_stocks":{"BK4588":"碎股","IE0004445239.USD":"JANUS HENDERSON US FORTY \"A2\" (USD) ACC","LU0097036916.USD":"贝莱德美国增长A2 USD","BK4141":"半导体产品","ASML":"阿斯麦","03165":"华夏欧优股对冲","IE00BD6J9T35.USD":"NEUBERGER BERMAN NEXT GENERATION MOBILITY \"A\" (USD) ACC","LU2063271972.USD":"富兰克林创新领域基金","NA":"毫微科技","BK4585":"ETF&股票定投概念","BK4147":"半导体设备"},"translate_title":"ASML High-NA EUV lithography made a major breakthrough: successfully printed 10nm linewidth patterns","themeId":null,"isJumpTheme":false,"ttsUrl":null,"symbols_score_info":{"ASML":1,"NA":1,"03165":0.6},"content_text":"IT之家 4 月 18 日消息，荷兰阿斯麦 (ASML) 公司宣布，其首台采用 0.55 数值孔径 (NA) 投影光学系统的高数值孔径 (High-NA) 极紫外 (EUV) 光刻机已经成功印刷出首批图案，这标志着 ASML 公司以及整个高数值孔径 EUV 光刻技术领域的一项重大里程碑。ASML 公司在声明中表示：“我们位于埃因霍芬的高数值孔径 EUV 系统首次印刷出 10 纳米线宽（dense line）图案。此次成像是在光学系统、传感器和移动平台完成粗调校准后实现的。接下来我们将致力于让系统达到最佳性能表现，并最终在现实生产环境中复制这一成果。”目前世界上仅有两台高数值孔径 EUV 光刻系统：一台由 ASML 公司在其荷兰埃因霍芬总部建造（该公司还与比利时领先的半导体研究机构 Imec 在此地联合设立了 High-NA 实验室），另一台则正在美国俄勒冈州 Hillsboro 附近英特尔公司的 D1X 晶圆厂组装。ASML 公司似乎是第一家宣布使用高数值孔径 EUV 光刻系统成功进行图案化的公司，这对于整个半导体行业来说都是一个重大突破。值得一提的是，ASML 公司的 Twinscan EXE:5000 型光刻机将仅用于其自身研发以及技术改进。英特尔公司则将利用其 Twinscan EXE:5000 型光刻机学习如何使用高数值孔径 EUV 光刻技术进行芯片量产。英特尔计划将其用于其 18A (1.8nm 级) 制程工艺的研发，并将在未来的 14A（1.4nm 级）制程产线中部署下一代 Twinscan EXE:5200 型光刻机。与目前 13nm 分辨率的 EUV 光刻机相比，ASML 公司配备 0.55 NA 镜头的新型 Twinscan EXE:5200 型光刻机能够实现 8nm 的超高分辨率，这是一个显著的提升。这项技术允许在单次曝光下印刷出尺寸减小 1.7 倍、晶体管密度提高 2.9 倍的晶体管。相比之下，传统的低数值孔径 (Low-NA) 系统虽然可以达到相同的精度，但却需要使用昂贵的双重曝光技术。实现 8nm 制程对于制造计划在 2025-2026 年上市的 3nm 以下制程芯片至关重要。高数值孔径 EUV 技术的引入将消除对 EUV 双重曝光的需求，从而简化生产流程、有可能提高产量并降低成本。然而，每台高数值孔径光刻机的价格高达 4 亿美元（IT之家备注：当前约 28.96 亿元人民币），并且在应用于尖端制程工艺的过程中会遇到诸多挑战。","kind":null,"is_publish_news":null,"is_publish_highlight":null,"is_publish_live":null,"is_publish_wemedia":null,"editions":null,"symbols":[],"gpt_button":1},"commentList":[],"isCommentEnd":true,"newsSizeData":{"likeSize":0,"commentSize":0,"repostSize":0,"favoriteSize":0,"likeStatus":false,"favoriteStatus":false},"APP":{"userAgent":"Mozilla/5.0 AppleWebKit/537.36 (KHTML, like Gecko; compatible; ClaudeBot/1.0; +claudebot@anthropic.com)","isDev":false,"isTTM":false,"deviceId":"web-server-community-laohu8-v3","version":"4.22.4","shortVersion":"4.22.4","platform":"web","vendor":"web","appName":"laohu8","isIOS":false,"isAndroid":false,"isTiger":false,"isTHS":false,"isWeiXin":false,"isWeiXinMini":false,"isWeiBo":false,"isQQ":false,"isBaiduSwan":false,"isBaiduBox":false,"isDingTalk":false,"isToutiao":false,"isOnePlus":false,"isHuaWei":false,"isXiaomi":false,"isXiaomiWebView":false,"isOppo":false,"isVivo":false,"isSamsung":false,"isMobile":false},"href":"/m/news/2428609538"}