当地时间4月18日,英特尔公司宣布在俄勒冈州希尔斯伯勒的研发基地达成了先进半导体制造领域的一个重要里程碑,完成了业界首个商用High NA(高数值孔径)极紫外(EUV)光刻机的组装。据介绍,英特尔正在对ASML TWINSCAN EXE:5000 High NA EUV 光刻机进行校准步骤,为英特尔未来工艺路线图的生产做准备。该新设备能够通过改变将打印图像投影到硅晶圆上的光学设计,显着提高下一代...
网页链接当地时间4月18日,英特尔公司宣布在俄勒冈州希尔斯伯勒的研发基地达成了先进半导体制造领域的一个重要里程碑,完成了业界首个商用High NA(高数值孔径)极紫外(EUV)光刻机的组装。据介绍,英特尔正在对ASML TWINSCAN EXE:5000 High NA EUV 光刻机进行校准步骤,为英特尔未来工艺路线图的生产做准备。该新设备能够通过改变将打印图像投影到硅晶圆上的光学设计,显着提高下一代...
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