三星研发出16层堆叠HBM3芯片样品，采用混合键合技术

爱集微APP04-10

集微网消息，三星电子表示，已经研发制造出16层堆叠的高带宽存储（HBM）的样品。三星副总裁Kim Dae-woo表示，三星采用混合键合技术制造了该芯片。他表示，虽然16层堆栈HBM距离投入量产还需要一段时间，但证实其运行正常。Kim Dae-woo还补充说，该芯片是作为HBM3制造的，但三星计划在HBM4中使用来提高生产率。消息人士称，由于对准问题，三星预计只会对一两个芯片堆叠组使用混合键合，但...

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