异动解读 | AI内存需求引爆存储芯片超级周期，Roundhill Memory ETF夜盘大涨6.03%

追踪全球存储半导体产业链的Roundhill Memory ETF（代码：DRAM）今日夜盘大幅上涨6.03%，表现强劲。

消息面上，存储芯片行业正迎来由人工智能（AI）驱动的超级周期。存储芯片巨头美光科技首席执行官预警，AI内存需求激增导致高性能存储芯片供应已陷入“极其紧张”的局面，且产能难以迅速扩张。随着AI产业重心从训练转向推理，对高速内存的需求呈指数级增长。行业数据显示，当前全球DRAM市场供应量较需求低约10%，供需缺口短期内难以缓解。英特尔、英伟达等厂商的下一代AI芯片不断推高对高带宽内存（HBM）和DRAM的需求，市场普遍预计原定于2026年结束的内存“超级周期”有望延续至2027年。

此外，存储行业在经历多轮下跌后已企稳回升。此前市场对存储板块的压制因素，包括内存产业高度周期性带来的扩张与去库存循环担忧，以及地缘局势导致的关键材料供应受阻等利空因素正逐步被市场消化。随着上述担忧缓解，市场对存储行业周期拐点的预期显著增强，资金加速流入相关标的，带动了追踪该板块的ETF价格上扬。