异动解读 | AI内存需求引爆存储芯片超级周期，Roundhill Memory ETF盘中大涨5.02%

追踪内存与存储芯片行业的Roundhill Memory ETF（代码：DRAM）今日盘中大幅上涨5.02%，表现强劲。

消息面上，存储芯片行业正迎来由人工智能（AI）驱动的超级周期。存储芯片巨头美光科技首席执行官预警，AI内存需求激增导致高性能存储芯片供应已陷入“极其紧张”的局面，且产能难以迅速扩张。随着AI产业重心从训练转向推理，对高速内存的需求呈指数级增长。

行业数据显示，当前全球DRAM市场供应量较需求低约10%，供需缺口短期内难以缓解。英特尔、英伟达等厂商的下一代AI芯片不断推高对高带宽内存（HBM）和DRAM的需求，市场普遍预计原定于2026年结束的内存“超级周期”有望延续至2027年。在此行业高景气度背景下，美股存储概念股盘前及早盘普遍走强，带动了追踪该板块的ETF价格上扬。