Roundhill Memory ETF(DRAM)在夜盘交易时段大幅上涨5.15%,引发市场关注。
消息面上,存储芯片龙头SK海力士在夜盘前密集发布了一系列业绩展望及需求预测,成为推动该ETF上涨的核心驱动力。SK海力士预计,第三季度DRAM出货量将环比增长约10%,并指出2026年DRAM市场需求将同比增长20%,NAND闪存需求也将增长15%至19%。同时,该公司强调,在AI业务规模激增、算力供给紧缺的双重驱动下,各大科技巨头客户正持续加码基础设施投入并扩大存储采购规模,主要客户亦持续要求增加内存供应。这些乐观的需求信号直接提振了市场对存储芯片板块的短期信心。
此外,SK海力士此前公布的第二季度财报显示,尽管营业利润略低于市场预期,但DRAM平均售价环比上涨约30%,NAND闪存平均售价更是环比上涨约55%,显示出存储芯片定价能力依然强劲。公司还表示,长期供货协议旨在缓解价格剧烈波动,并提升中长期需求的可见度。这些基本面因素的集中释放,共同推动了Roundhill Memory ETF在夜盘期间的强势表现。
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