周二， 纳微半导体 盘前大涨超23%，公司宣布支持英伟达下一代AI工厂计算平台的800 VDC电源架构。
已取得研发进展
今年5月21日，纳微半导体就宣布与英伟达合作开发下一代800伏高压直流（HVDC）架构，为包括Rubin Ultra在内的GPU提供支持的“Kyber”机架级系统供电。
纳微半导体将其技术定位为支持现代AI数据中心从“电网到GPU”的全链路电力系统，为包括英伟达Rubin Ultra在内的先进计算平台提供高压配电与负载端转换的整体解决方案。
据介绍，800伏直流配电系统可在数据中心内实现从公用电力到800伏直流的直接转换，从而消除多个传统转换阶段。这种方法旨在最大化能效、减少能量损耗，并提升系统可靠性。而纳微半导体的氮化镓和碳化硅技术将在这一合作中发挥关键作用，可在一定程度上大幅提升“Kyber”机架级系统的能效比、散热管理和系统可靠性。
目前，纳微半导体宣布在研发先进的800伏直流氮化镓和碳化硅功率器件方面已取得进展，并推出了一款专为GPU电源板上低电压DC-DC转换阶段设计的新型100伏GaN场效应晶体管产品组合。
纳微半导体表示，这些元件通过与Power Chip的战略合作，在200毫米GaN-on-Si工艺上制造。此外，纳微半导体还提供650伏GaN产品和高压SiC MOSFET，用于支持数据中心基础设施中不同阶段的电力转换。
通过与英伟达的合作，不断推动纳微半导体800伏直流配电系统及相关功率器件的研发与应用，有望在未来市场中占据更大份额。
为芯片企业指路
纳微半导体在氮化镓和碳化硅技术上的应用，为国内芯片企业提供了技术发展的新思路和借鉴方向。
国内芯片企业可参考纳微半导体在技术定位上的精准性，其将自身技术明确为支持现代AI数据中心全链路电力系统，为先进计算平台提供整体解决方案，国内企业也可结合自身优势，找准在芯片产业链中的定位。
同时，纳微半导体在研发先进功率器件方面的积极进展，如推出新型100伏GaN场效应晶体管产品组合，以及提供多种用于不同电力转换阶段的产品，也为国内芯片企业在产品研发方向上提供了参考，国内企业可加大在相关领域的研发投入，提升产品性能和竞争力。
此外，800 VDC电源架构对电源管理芯片的性能提出了更高要求，国内芯片企业为了满足市场需求，将加大在电源管理芯片领域的研发投入，推动技术升级，提高芯片的效率、可靠性和集成度。
纳微半导体与英伟达的合作案例，还凸显了跨界合作对于芯片技术创新的重要性。国内芯片企业可积极寻求与人工智能、数据中心等领域的领军企业合作，共同探索新技术、新应用，以加速技术迭代和市场拓展。这种跨界合作模式有助于国内芯片企业突破技术瓶颈，实现更快发展。
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