异动解读 | AI需求激增致存储芯片供应持续紧张，Roundhill Memory ETF盘前大涨5.69%

追踪内存芯片行业的Roundhill Memory ETF（代码DRAM）今日盘前出现显著上涨，涨幅达5.69%，引起了市场的广泛关注。

消息面上，全球存储芯片市场正经历由人工智能（AI）浪潮驱动的“超级周期”。存储芯片巨头三星电子、SK海力士等公司近期公布的财报显示，其利润因AI服务器需求旺盛和内存芯片短缺而出现数倍增长。行业普遍认为，AI发展仍处于早期阶段，对高速、大容量存储设备的需求构成了长期支撑。

此外，有分析指出，随着AI产业重心从训练转向推理，CPU对通用DRAM的需求激增，进一步加剧了市场供应紧张的局面。当前DRAM市场供应量据称较需求低约10%，供需失衡预计将持续，这为内存芯片价格提供了上行压力，并直接利好于相关行业ETF的表现。