Roundhill Memory ETF(DRAM)今日夜盘大涨5.37%,引起了市场的关注。
消息面上,国际存储芯片巨头SK海力士宣布了积极的产能扩张计划,计划到2034年将芯片晶圆产能提高到目前的三倍,以满足人工智能发展带来的旺盛需求。同时,公司确认计划年内发行美国存托凭证(ADR)赴美上市,旨在借助AI热潮拓宽投资者基础。这些举措被视为对存储芯片行业的重大利好,提振了市场对整个板块的信心,从而推动了追踪该行业的ETF价格上涨。
SK海力士作为全球领先的存储芯片制造商,其产能扩张和资本运作计划反映了行业对AI驱动需求的长期乐观预期,这可能是Roundhill Memory ETF夜盘表现强劲的主要原因。
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