纳微半导体搭上英伟达MGX生态快车，切入下一代AI数据中心核心基础设施

华尔街见闻06-03

纳微半导体成为AI基础设施投资热潮中的最新受益者。公司宣布与英伟达MGX生态系统展开合作，共同推进800 VDC人工智能基础设施建设，消息提振市场情绪。公司于5月29日参加了英伟达在中国台北南港展览中心举办的合作伙伴典礼，并正在COMPUTEX 2026展会上展示其800 V至6 V直流-直流电源分配板（PDB）产品。该产品专为AI数据中心800 VDC机架架构设计，旨在提升系统效率与功率密度。...

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沽空时刻

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style=\"text-align: left;\">从技术参数来看，该电源分配板搭载16颗GaNFast场效应管，额定电压650 V、导通电阻11毫欧，采用最新DFN8×8双面散热封装，目标峰值效率达97.5%，工作开关频率为1 MHz，功率密度高达2100 W/in³。</p><p style=\"text-align: left;\">此外，该板厚度比手机薄约20%，超薄外形允许其与GPU板进行极近距离集成，从而最大化瞬态性能并提升配电效率。</p><h2 id=\"id_3074222070\" style=\"text-align: left;\">宽禁带半导体组合：覆盖从电网到GPU的全链路供电</h2><p style=\"text-align: left;\">纳微半导体在此次合作中展示的不仅是单一产品，而是其覆盖AI工厂全链路供电需求的宽禁带（WBG）半导体技术组合。</p><p style=\"text-align: left;\">在碳化硅（SiC）方向，公司的GeneSiC解决方案支持从电网到AI计算机架的高效电力传输，涵盖采用2300 V和3300 V SiC功率模块的固态变压器，以及基于第五代技术1200 V SiC MOSFET的高功率三相电源供应单元。</p><p style=\"text-align: left;\">在氮化镓（GaN）方向，GaNFast技术凭借MHz频率运行能力、更高功率密度和更快瞬态响应，支持从机架级直接向GPU高效传输电力。公司目前已拥有逾300项已授权或待审专利。</p><h2 id=\"id_3564646532\" style=\"text-align: left;\">股价强势背后：营收超预期，但估值争议犹存</h2><p style=\"text-align: left;\">纳微半导体近期股价的强劲表现，部分得益于基本面的边际改善。</p><p style=\"text-align: left;\">公司此前公布的2026财年第一季度营收为860万美元，超出市场预期的818万美元。然而，每股亏损为0.15美元，明显差于预期的亏损0.05美元。</p><p style=\"text-align: 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