荷兰芯片制造设备公司 ASML（ASML）表示，公司计划与主要客户合作，推动其最先进的设备用于制造英伟达（NVDA）及其他公司所设计的那类大型数据中心芯片。
ASML生产的是所谓的光刻设备（lithography tools）。这类设备通过让光线穿过一种称为掩模（mask）的部件，将芯片的电路图案印制到硅晶圆上。
ASML广泛应用的极紫外光刻（EUV）设备目前可以制造面积最大约为800平方毫米的芯片，而英伟达、谷歌以及其他公司设计的芯片尺寸已经一路接近这一上限。
ASML即将推出的新一代设备被称为“High NA” EUV（高数值孔径极紫外光刻）设备，能够印制具有更精细结构的芯片。不过，由于这种设备目前使用尺寸更小的掩模，因此在能够制造的芯片尺寸方面存在限制。
英特尔（INTC）已经在使用ASML最新一代设备制造其笔记本电脑芯片。ASML本周表示，公司计划转向使用更大尺寸的掩模，这将使其最新设备能够制造尺寸与目前最大型数据中心芯片一样大的芯片。
对于新的High NA设备而言，采用更大的掩模将有助于推动这类设备在大规模量产中的更广泛应用。目前，英特尔已经在生产中使用High NA设备，但台积电（TSM/TW）和三星电子（005930.KS）尚未将其用于大规模量产。
另外，SK海力士（000660.KS）在一份声明中表示，公司正在评估是否参与有关引入12英寸掩模的联盟项目，并补充称，其目标是在2028年将High NA EUV工艺应用于DRAM的大规模量产。
台积电本周表示，计划从2030年开始，在先进制程的大规模量产中使用ASML的High NA技术；三星则计划在2028年之前将High NA EUV引入DRAM存储芯片的大规模量产。
ASML计划在2031年展示采用更大尺寸掩模的试验生产线，并计划在2033年之前使这项新技术达到大规模量产所需的成熟程度。
ASML首席技术官Marco Pieters表示：
“如果我们整个行业能够成功实现这一目标，那么你最终会看到这些系统的生产效率提高约40%。”
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