异动解读 | AI内存需求引爆存储芯片超级周期，Roundhill Memory ETF夜盘大涨7.69%

追踪全球存储半导体产业链的Roundhill Memory ETF（代码：DRAM）今日夜盘大幅上涨7.69%，表现异常强劲。

消息面上，存储芯片行业正迎来由人工智能（AI）驱动的超级周期。AI服务器需求的爆发式增长导致对高性能存储芯片的需求激增，而供应端却陷入极度紧张的局面。存储芯片巨头美光科技的高管表示，AI推理对内存的需求正以指数级增长，当前的产能已无法跟上需求，全球正在加速建设新工厂以应对短缺。此外，三星电子、SK海力士等龙头企业近期公布的业绩远超预期，其股价也屡创历史新高，三星电子市值更是突破了1万亿美元大关，凸显了市场对存储行业长期景气的信心。

行业分析指出，此轮存储芯片的上涨并非传统的周期性波动，而是由AI技术普及带来的结构性增长。随着AI训练和推理对算力需求的快速增长，数据中心对高带宽内存（HBM）、大容量DRAM及企业级SSD的需求持续爆发。同时，谷歌、微软、亚马逊、Meta等全球科技巨头的资本支出大幅超出预期，其中存储芯片价格上涨被明确列为关键推动因素。在供需严重失衡的背景下，市场普遍预计原定于2026年结束的存储“超级周期”有望延续至2027年甚至更久，这直接带动了追踪该板块的ETF价格大幅上扬。